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CBR04C309A1GAC 发布时间 时间:2025/12/23 8:59:50 查看 阅读:51

CBR04C309A1GAC 是一款基于硅基工艺制造的高频射频功率晶体管,广泛应用于无线通信领域中的功率放大器设计。该器件采用先进的封装技术,具备高增益、低噪声和优异的线性度特性,能够满足现代通信系统对高效能和稳定性的要求。
  该型号特别适合于工作在 S 波段(2-4GHz)的无线通信设备,例如基站、卫星通信和雷达系统等。其内部结构经过优化设计,以实现更佳的射频性能。

参数

最大集电极电流:2.5A
  最大集电极功耗:60W
  最高工作频率:4GHz
  增益:18dB
  饱和输出功率:35W
  电源电压范围:28V
  封装形式:SOT-1227

特性

CBR04C309A1GAC 的主要特点包括:
  1. 高效率:通过优化设计,该器件在高频段下仍能保持较高的能量转换效率,减少能量损耗。
  2. 稳定性:即使在温度波动较大的环境下,也能维持稳定的输出性能。
  3. 小型化封装:采用紧凑型 SOT-1227 封装,有助于减小整体电路板尺寸。
  4. 宽带兼容性:支持多种通信频段,具有良好的宽带匹配能力。
  5. 抗干扰能力强:内置保护机制有效防止过压和静电损伤,延长使用寿命。

应用

CBR04C309A1GAC 广泛用于以下场景:
  1. 无线通信基站:为基站发射机提供功率放大功能,确保信号覆盖范围。
  2. 卫星通信设备:作为上行链路功率放大器的核心组件,提升信号强度。
  3. 雷达系统:适用于需要大功率射频输出的雷达设备,如气象雷达和导航雷达。
  4. 测试与测量仪器:用于高性能射频测试平台,保证测试结果的准确性。

替代型号

CBR04C309A1GACB, CBR04C310A1GAC

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CBR04C309A1GAC参数

  • 数据列表CBR04C309A1GAC
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容3.0pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.040" L x 0.020" W(1.01mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-