型号：UTT50P04
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-50A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-160A
　　功耗（Pd）：125W（@Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值9.5mΩ（@Vgs=-10V）；最大值12mΩ（@Vgs=-10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-2.0V ~ -4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3800pF（@Vds=20V）
　　输出电容（Coss）：约950pF（@Vds=20V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

UTT50P04采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=-10V条件下，其典型值仅为9.5mΩ，最大不超过12mΩ。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效，尤其适用于大电流开关应用。由于其P沟道结构，在高端开关配置中可以直接由逻辑电平驱动，无需复杂的电平移位或电荷泵电路，从而简化了电源设计并节省了外围元件数量和PCB空间。
　　该器件具有优异的热性能和较高的功率耗散能力（125W），结合TO-252封装良好的散热特性，可在高负载条件下稳定运行。其最大连续漏极电流可达-50A，脉冲电流能力高达-160A，表明其具备较强的瞬态电流承载能力，适合应对电机启动、电源上电冲击等瞬时大电流场景。此外，UTT50P04的栅极阈值电压范围合理（-2.0V至-4.0V），确保在正常工作电压下可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。
　　输入和输出电容参数经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用中的响应速度。虽然作为P沟道器件其开关速度略低于同级别的N沟道MOSFET，但在大多数中低频电源管理应用中表现优异。器件内部集成的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽未明确标注trr参数，但仍可用于感性负载的续流路径，需在实际应用中注意布局以减少EMI影响。
　　UTT50P04还具备良好的抗雪崩能力和过温稳定性，能够在严苛的工作环境中保持长期可靠性。所有参数均在严格测试条件下验证，符合工业级应用标准。其无铅环保封装不仅满足RoHS指令要求，也支持现代自动化贴片工艺，适用于大规模生产。综合来看，UTT50P04是一款高性能、高性价比的P沟道功率MOSFET，适用于多种电源控制场合。

UTT50P04主要应用于各类直流电源管理系统中，特别是在需要高效、紧凑设计的便携式电子设备中发挥重要作用。它常被用作高端开关（high-side switch）来控制电池供电系统的通断，例如在笔记本电脑、移动电源、智能POS机等设备中实现电池隔离与保护功能。由于其P沟道特性，可直接由控制器驱动，无需额外的驱动电路，大大简化了系统架构。
　　在DC-DC转换器拓扑中，UTT50P04可用于同步整流或 Buck 转换器的上管开关，尤其是在输入电压较低（如12V或以下）的应用中表现出色。其低Rds(on)有效减少了导通损耗，提高了电源转换效率，有助于延长电池续航时间。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的H桥结构，作为P沟道侧的开关元件，控制直流电机或步进电机的方向与启停。
　　在工业控制领域，UTT50P04可用于继电器替代方案、固态开关、LED驱动电源以及热插拔控制器中，提供快速响应和低功耗控制。其高电流承载能力和良好热稳定性使其能在工业环境温度范围内稳定运行。
　　消费类电子产品如智能家居设备、无线路由器、安防摄像头等也广泛采用此类MOSFET进行电源管理。UTT50P04还可用于过流保护电路、反接保护电路和电源冗余切换系统中，保障后级电路安全。总之，凭借其高可靠性、低成本和易用性，UTT50P04已成为众多电源开关应用中的理想选择。

AP95501GH-HF
　　SI7456DP-T1-GE3
　　FDS6680A