时间：2025/7/2 10:04:48
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CBR04C200J1GAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频开关的功率晶体管。该器件适用于需要高性能和小型化的应用场合，例如适配器、快充充电器、LED驱动器以及通信电源等领域。它采用了先进的封装技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
型号：CBR04C200J1GAC
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：4A
导通电阻：200mΩ（典型值，在Vgs=8V时）
栅极电荷：35nC（典型值）
开关频率范围：高达5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK8
功耗：约3W
CBR04C200J1GAC 的主要特点是其结合了氮化镓材料的优势，提供卓越的电气性能。
1. 高击穿电压：能够承受高达600V的漏源电压，适合高压应用。
2. 超低导通电阻：200mΩ的典型导通电阻显著降低了传导损耗。
3. 快速开关性能：由于其低栅极电荷和优化的设计，能够实现高效的高频操作。
4. 小型化封装：采用紧凑的LFPAK8封装，减少整体解决方案尺寸。
5. 高热稳定性：具备宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 出色的EMI性能：通过优化设计降低电磁干扰，简化滤波需求。
CBR04C200J1GAC 广泛应用于多种高要求的电力电子领域：
1. USB-PD快充适配器：提供高效的小型化快充方案。
2. 开关电源（SMPS）：用于提高转换效率并减小体积。
3. LED照明驱动器：支持高功率密度的LED系统。
4. 数据中心和电信电源：满足现代数据中心对能效和空间节省的需求。
5. 工业电机驱动：为工业自动化设备提供可靠的电源控制。
6. 太阳能逆变器：帮助提升可再生能源系统的效率。
CBR04C150J1GAC, CBR06C200J1GAC
