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CBR04C120F1GAC 发布时间 时间:2025/7/1 17:09:14 查看 阅读:11

CBR04C120F1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件,主要应用于高频率、高效率和高温环境下的功率转换系统。该芯片采用了先进的 SiC 技术,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点,适合于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
  由于其材料特性和结构设计,CBR04C120F1GAC 能够显著减少开关损耗并提高系统的整体效率。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:4A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:无(由于是 SiC MOSFET)
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

CBR04C120F1GAC 的核心优势在于其基于碳化硅技术的卓越性能表现。它具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力:高达 1200V 的击穿电压确保了在高压环境中的稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为 90mΩ 的 Rds(on) 值降低了导通损耗。
  3. 快速开关速度:得益于 SiC 材料的特性,能够实现更短的开关时间,从而减少开关损耗。
  4. 高温适应性:能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温度范围内可靠工作。
  5. 小型化封装:有助于简化电路设计,同时节省 PCB 空间。
  6. 高可靠性:经过严格的测试和验证,保证长时间使用中的稳定性。

应用

CBR04C120F1GAC 广泛适用于需要高效率和高频操作的电力电子领域,包括但不限于:
  1. 工业级电源供应器
  2. 太阳能光伏逆变器
  3. 电动汽车充电桩
  4. DC-DC 转换器
  5. 电机驱动控制器
  6. 不间断电源 (UPS)
  这款器件特别适合需要紧凑设计且对能耗敏感的应用场景。

替代型号

CBR06C120F1GAC, CBR08C120F1GAC

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CBR04C120F1GAC参数

  • 现有数量4,929现货
  • 价格1 : ¥5.41000剪切带(CT)10,000 : ¥1.54466卷带(TR)
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-