时间：2025/7/1 17:09:14
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CBR04C120F1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件，主要应用于高频率、高效率和高温环境下的功率转换系统。该芯片采用了先进的 SiC 技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点，适合于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
由于其材料特性和结构设计，CBR04C120F1GAC 能够显著减少开关损耗并提高系统的整体效率。
额定电压：1200V
额定电流：4A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：无（由于是 SiC MOSFET）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CBR04C120F1GAC 的核心优势在于其基于碳化硅技术的卓越性能表现。它具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：高达 1200V 的击穿电压确保了在高压环境中的稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为 90mΩ 的 Rds(on) 值降低了导通损耗。
3. 快速开关速度：得益于 SiC 材料的特性，能够实现更短的开关时间，从而减少开关损耗。
4. 高温适应性：能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装：有助于简化电路设计，同时节省 PCB 空间。
6. 高可靠性：经过严格的测试和验证，保证长时间使用中的稳定性。
CBR04C120F1GAC 广泛适用于需要高效率和高频操作的电力电子领域，包括但不限于：
1. 工业级电源供应器
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车充电桩
4. DC-DC 转换器
5. 电机驱动控制器
6. 不间断电源 (UPS)
这款器件特别适合需要紧凑设计且对能耗敏感的应用场景。
CBR06C120F1GAC, CBR08C120F1GAC
