CBR04C120F1GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件,主要应用于高频率、高效率和高温环境下的功率转换系统。该芯片采用了先进的 SiC 技术,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点,适合于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
由于其材料特性和结构设计,CBR04C120F1GAC 能够显著减少开关损耗并提高系统的整体效率。
额定电压:1200V
额定电流:4A
导通电阻:90mΩ
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:无(由于是 SiC MOSFET)
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
CBR04C120F1GAC 的核心优势在于其基于碳化硅技术的卓越性能表现。它具备以下关键特性:
1. 高耐压能力:高达 1200V 的击穿电压确保了在高压环境中的稳定运行。
2. 低导通电阻:仅为 90mΩ 的 Rds(on) 值降低了导通损耗。
3. 快速开关速度:得益于 SiC 材料的特性,能够实现更短的开关时间,从而减少开关损耗。
4. 高温适应性:能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装:有助于简化电路设计,同时节省 PCB 空间。
6. 高可靠性:经过严格的测试和验证,保证长时间使用中的稳定性。
CBR04C120F1GAC 广泛适用于需要高效率和高频操作的电力电子领域,包括但不限于:
1. 工业级电源供应器
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车充电桩
4. DC-DC 转换器
5. 电机驱动控制器
6. 不间断电源 (UPS)
这款器件特别适合需要紧凑设计且对能耗敏感的应用场景。
CBR06C120F1GAC, CBR08C120F1GAC