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2SK1775 发布时间 时间:2025/9/7 16:48:53 查看 阅读:32

2SK1775 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。这款MOSFET以其高性能和可靠性著称,适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):15A
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

2SK1775具有优异的导通性能和快速的开关特性,适用于高频率开关电源应用。其高耐压和大电流能力确保了在严苛环境下的稳定运行。
  该MOSFET采用了先进的平面工艺技术,使得其在高温环境下依然保持良好的性能。此外,2SK1775还具备较低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了功率损耗,提高了系统效率。
  器件的封装设计优化了散热性能,能够有效地将热量传导出去,延长器件的使用寿命。这种封装形式(TO-220)也便于安装和焊接,适用于多种电路板设计。
  由于其高可靠性和稳定性,2SK1775被广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块以及音频功率放大器等设备中。

应用

2SK1775主要应用于高功率开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及音频功率放大电路中。它在电源管理系统中用于高效的能量转换,同时也在工业自动化设备中作为功率开关使用。

替代型号

2SK1358, 2SK2225, 2SK1530

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