CBR02C908B3GAC是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该器件具有低ESR(等效串联电阻)、高Q值和出色的频率稳定性,适用于高频电路中的滤波、耦合和去耦应用。其结构紧凑,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
CBR02C908B3GAC属于C系列电容器,具体参数和性能经过优化,以满足严格的射频和电源管理设计需求。
容量:9pF
额定电压:50V
封装类型:0402
耐压等级:50V
工作温度范围:-55℃至+125℃
损耗角正切(D):≤0.001
温度特性:C0G(NP0)
尺寸:1.0mm x 0.5mm
电介质材料:陶瓷
标准:符合RoHS标准
CBR02C908B3GAC采用了C0G(NP0)型电介质,确保了其在宽温度范围内的优异稳定性和低容量漂移。此外,该电容器还具备以下特点:
1. 高可靠性:通过AEC-Q200认证,适用于汽车级应用。
2. 小型化设计:采用0402封装,节省PCB空间。
3. 高频性能优越:由于低ESR和高Q值,特别适合高频信号处理。
4. 环保合规:符合RoHS要求,无铅设计。
5. 耐焊性好:能够承受回流焊的高温环境。
CBR02C908B3GAC主要应用于高频电路中的各种场景,包括但不限于:
1. 滤波器设计:用于射频前端滤波,提升信号质量。
2. 去耦应用:为电源电路提供稳定的去耦效果,减少噪声干扰。
3. 信号耦合:实现不同电路模块间的信号传递,同时隔离直流成分。
4. 振荡电路:作为振荡元件的一部分,确保精确的频率输出。
5. 数据通信:在高速数据传输系统中用作匹配网络组件。
6. 汽车电子:可用于车载信息娱乐系统、导航设备和其他关键子系统。
CBR02C908B3GACN, CBR02C908B3GACA, GRM152R71C908KA12D