时间：2025/7/7 11:40:44
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CBR02C829D3GAC是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制程工艺制造。该器件适用于多种高频开关应用，例如DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力。
这款芯片特别设计用于提升效率并降低功耗，在要求严格的工业级和消费级电子产品中具有广泛的应用前景。
型号：CBR02C829D3GAC
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：60A
Qg（栅极电荷）：17nC
f（工作频率范围）：最高达500kHz
结温范围：-55℃至+175℃
CBR02C829D3GAC具备非常低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高整体系统效率。
该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关性能，同时减少了开关损耗。
它还拥有较高的雪崩击穿能力和热稳定性，确保在恶劣环境下的可靠运行。
此外，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计需求。
通过优化的散热设计，CBR02C829D3GAC能够在高温环境下保持良好的性能表现。
CBR02C829D3GAC适合应用于各种高频开关电路，例如高效能DC-DC转换器、同步整流电路、太阳能逆变器以及电动工具驱动等。
它也常用于笔记本电脑适配器、服务器电源和通信设备中的电源管理模块。
由于其强大的电流承载能力，该芯片还可以用于工业自动化控制和汽车电子系统的电机驱动领域。
CBR02C829D3GACB, IRFZ44N, FDP5500
