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CBR02C569C3GAC 发布时间 时间:2025/6/28 21:58:05 查看 阅读:4

CBR02C569C3GAC 是一款高性能的射频 (RF) 芯片电阻器,主要用于高频电路中。该元件具有高精度、低噪声和良好的温度稳定性,适用于对信号完整性要求较高的应用环境。其封装设计紧凑,便于表面贴装技术 (SMT) 生产流程中的集成。
  该芯片电阻器属于薄膜电阻系列,采用了氮化钽 (TaN) 材料作为电阻膜层,能够提供出色的频率特性和较低的寄生电感值,从而保证在高频条件下的稳定性能。

参数

额定功率:0.1W
  阻值:56.9Ω
  阻值容差:±1%
  温度系数:±25 ppm/°C
  工作电压:50V
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:0402英寸
  ESL(等效串联电感):≤0.3 nH

特性

CBR02C569C3GAC 的主要特点是其优秀的射频性能和紧凑的尺寸。以下是具体特性:
  1. 高频优化设计:通过降低寄生电感和电容的影响,确保在高频段表现出优异的稳定性。
  2. 温度稳定性:采用高质量材料制造,使其能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的阻值。
  3. 紧凑型封装:0402 英寸封装适合高密度 PCB 设计,同时兼容自动化生产流程。
  4. 低噪声:薄膜工艺有效减少噪声干扰,适合精密射频电路。
  5. 高可靠性:经过严格的测试和筛选,产品具有长寿命和高可靠性,适用于各种恶劣环境。

应用

CBR02C569C3GAC 广泛应用于需要高性能射频元件的领域,包括但不限于:
  1. 射频通信设备:如基站、路由器和无线模块。
  2. 消费类电子产品:例如智能手机和平板电脑中的滤波器和匹配网络。
  3. 工业控制与测量:用于高精度数据采集系统中的信号调理电路。
  4. 医疗设备:如超声波仪器和心电图设备中的信号处理部分。
  5. 航空航天和国防:在雷达系统和卫星通信设备中作为关键组件。

替代型号

CBR02C569C3GATC
  CBR02C569C3GAJC
  RCM02C569C3GAC

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CBR02C569C3GAC参数

  • 数据列表CBR02C569C3GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容5.6pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-