CBR02C569C3GAC 是一款高性能的射频 (RF) 芯片电阻器,主要用于高频电路中。该元件具有高精度、低噪声和良好的温度稳定性,适用于对信号完整性要求较高的应用环境。其封装设计紧凑,便于表面贴装技术 (SMT) 生产流程中的集成。
该芯片电阻器属于薄膜电阻系列,采用了氮化钽 (TaN) 材料作为电阻膜层,能够提供出色的频率特性和较低的寄生电感值,从而保证在高频条件下的稳定性能。
额定功率:0.1W
阻值:56.9Ω
阻值容差:±1%
温度系数:±25 ppm/°C
工作电压:50V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:0402英寸
ESL(等效串联电感):≤0.3 nH
CBR02C569C3GAC 的主要特点是其优秀的射频性能和紧凑的尺寸。以下是具体特性:
1. 高频优化设计:通过降低寄生电感和电容的影响,确保在高频段表现出优异的稳定性。
2. 温度稳定性:采用高质量材料制造,使其能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的阻值。
3. 紧凑型封装:0402 英寸封装适合高密度 PCB 设计,同时兼容自动化生产流程。
4. 低噪声:薄膜工艺有效减少噪声干扰,适合精密射频电路。
5. 高可靠性:经过严格的测试和筛选,产品具有长寿命和高可靠性,适用于各种恶劣环境。
CBR02C569C3GAC 广泛应用于需要高性能射频元件的领域,包括但不限于:
1. 射频通信设备:如基站、路由器和无线模块。
2. 消费类电子产品:例如智能手机和平板电脑中的滤波器和匹配网络。
3. 工业控制与测量:用于高精度数据采集系统中的信号调理电路。
4. 医疗设备:如超声波仪器和心电图设备中的信号处理部分。
5. 航空航天和国防:在雷达系统和卫星通信设备中作为关键组件。
CBR02C569C3GATC
CBR02C569C3GAJC
RCM02C569C3GAC