CBR02C479C3GAC是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。它属于X7R介质类型,具有良好的温度稳定性和高可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品中的耦合、滤波和旁路应用。该型号具有较小的封装尺寸,适合高密度电路板设计。
电容值:4.7nF
额定电压:100V
公差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0201英寸
介质材料:X7R
ESR(等效串联电阻):低
DF(损耗因子):低
CBR02C479C3GAC采用了先进的多层陶瓷工艺制造,确保了其在高频下的优异性能。X7R介质使得电容器能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值变化。此外,这款电容器具有非常低的ESR和DF值,能够有效减少信号损耗并提高系统的整体效率。
该电容器的小型紧凑性的要求。同时,其高可靠性使其成为汽车电子、通信设备和消费类电子产品的理想选择。
CBR02C479C3GAC广泛应用于高频滤波、电源去耦、信号耦合以及射频电路中的匹配网络。它常用于以下领域:
1. 汽车电子系统中的噪声抑制
2. 无线通信模块中的信号调理
3. 音频设备中的高频滤波
4. 工业控制设备中的电源稳定性保障
5. 消费类电子产品中的高频信号处理
CC02C479M3RADJ, GRM152R60J470MA88D