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CBR02C479C3GAC 发布时间 时间:2025/6/27 15:05:21 查看 阅读:6

CBR02C479C3GAC是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。它属于X7R介质类型,具有良好的温度稳定性和高可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品中的耦合、滤波和旁路应用。该型号具有较小的封装尺寸,适合高密度电路板设计。

参数

电容值:4.7nF
  额定电压:100V
  公差:±5%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:0201英寸
  介质材料:X7R
  ESR(等效串联电阻):低
  DF(损耗因子):低

特性

CBR02C479C3GAC采用了先进的多层陶瓷工艺制造,确保了其在高频下的优异性能。X7R介质使得电容器能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值变化。此外,这款电容器具有非常低的ESR和DF值,能够有效减少信号损耗并提高系统的整体效率。
  该电容器的小型紧凑性的要求。同时,其高可靠性使其成为汽车电子、通信设备和消费类电子产品的理想选择。

应用

CBR02C479C3GAC广泛应用于高频滤波、电源去耦、信号耦合以及射频电路中的匹配网络。它常用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的噪声抑制
  2. 无线通信模块中的信号调理
  3. 音频设备中的高频滤波
  4. 工业控制设备中的电源稳定性保障
  5. 消费类电子产品中的高频信号处理

替代型号

CC02C479M3RADJ, GRM152R60J470MA88D

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CBR02C479C3GAC参数

  • 数据列表CBR02C479C3GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容4.7pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.25pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-