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CBR02C330G8GAC 发布时间 时间:2025/3/17 9:15:00 查看 阅读:20

CBR02C330G8GAC是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的肖特基二极管。该二极管采用了肖特基势垒技术,具有较低的正向电压降和快速的开关特性,非常适合用于电源转换、续流保护以及高频整流等应用中。
  CBR02C330G8GAC属于CBR系列二极管,具备高可靠性、低反向恢复时间和良好的热稳定性等特点。其独特的设计使得它在高温环境下也能保持稳定的性能表现。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流(IF):2A
  最大反向工作电压(VR):330V
  最大功耗(PD):1.5W
  正向电压降(VF):@IF=1A, 0.7V @25°C
  结电容(Cj):45pF @VR=10V, 1MHz
  反向恢复时间(trr):≤25ns @IF=1A, IR=1mA
  存储温度范围:-55°C to +175°C

特性

CBR02C330G8GAC采用了先进的制造工艺,确保了其出色的电气性能和机械强度。它具有以下显著特点:
  - 低正向电压降有效减少了能量损耗,提高了系统效率;
  - 快速的反向恢复时间使其适用于高频电路中,可降低电磁干扰;
  - 较高的最大反向工作电压能够承受较高的输入电压波动;
  - 广泛的工作温度范围保证了产品在恶劣环境下的可靠性;
  - 小巧的封装尺寸便于安装和布局,节省PCB空间。

应用

这款肖特基二极管广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)中的同步整流和输出整流;
  - LED驱动器中的箝位二极管或续流二极管;
  - 电动工具、家用电器等产品的保护电路;
  - 太阳能光伏系统的旁路二极管;
  - 汽车电子系统内的瞬态电压抑制。
  总之,CBR02C330G8GAC凭借其卓越的性能和广泛的适用性,在现代电子产品设计中扮演着重要角色。

替代型号

- 同一制造商提供的其他型号,如CBR02C330G8T3G,它们通常会共享相似的技术规格但可能有不同的封装形式;
  - 其他品牌生产且符合相同标准的产品,例如英飞凌的SBR20U330CTH、意法半导体的STTH2R033等,这些替代品应经过严格测试以确保与原器件兼容;
  - 如果对特定参数有特殊要求,比如更高的电流容量或者更低的反向漏电流,则需要根据实际需求选择相应的替代品,并参考各自的数据手册进行详细比较。

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CBR02C330G8GAC参数

  • 数据列表CBR02C330G8GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容33pF
  • 电压 - 额定10V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-