时间：2025/7/18 8:50:01
阅读：4
CBR02C229C9GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，专为高频、高效率应用而设计。该芯片采用了先进的增强型氮化镓晶体管技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于多种电源管理场景，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及快速充电解决方案。
这款芯片内部集成了驱动电路和保护功能，能够显著简化系统设计并提高可靠性。其封装形式紧凑，适合空间受限的应用场合。
型号：CBR02C229C9GAC
工作电压：10V - 650V
导通电阻：28mΩ（典型值）
最大电流：9A
封装形式：TO-252 (DPAK)
结温范围：-40°C 至 +175°C
输入电容：1.2nF
输出电荷量：70nC
栅极驱动电压：4V - 6V
反向恢复时间：无（由于是单向导电的GaN器件）
CBR02C229C9GAC的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，支持高达几兆赫兹的工作频率。
3. 内置过流保护和热关断功能，增强了系统的安全性和稳定性。
4. 使用氮化镓技术，相比传统硅基MOSFET，具备更高的能效和更小的尺寸。
5. 紧凑的封装设计，方便在小型化产品中部署。
6. 良好的热性能表现，适合高温环境下的长期运行。
CBR02C229C9GAC广泛应用于以下领域：
1. 快速充电器和USB-PD适配器，提供高效的小型化电源解决方案。
2. 数据中心和通信设备中的高效电源模块。
3. 消费类电子产品的DC-DC转换器，如笔记本电脑和智能手机配件。
4. 工业自动化和电机驱动中的高频逆变器。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. LED照明驱动电源，实现更高效率的功率转换。
CBR02C229C9GACB, CBR02C229C9GACC
