时间：2025/4/30 17:04:00
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STL190N4F7AG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沒尔场效应晶体管（MOSFET），属于 PowerMOSFET 系列。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺。
该 MOSFET 的设计使其能够满足消费电子、工业设备以及汽车电子领域对高效能和高可靠性的要求。
最大漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：56A
导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ
栅极电荷（Qg）：78nC
总耗散功率（Pd）：130W
工作结温范围（Tj）：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263
STL190N4F7AG 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中表现出较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗，适合高频操作环境。
其高雪崩耐量和强固的设计确保了在恶劣条件下的可靠性。
由于采用了 D2PAK 封装，该 MOSFET 提供了良好的散热性能，并且易于集成到表面贴装生产工艺中。
该产品符合 RoHS 标准，支持环保要求。
STL190N4F7AG 广泛应用于各种需要高性能功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业逆变器
6. 电动车辆中的功率控制模块
7. 太阳能微型逆变器
8. LED 驱动电路
