CBR02C229A9GAC 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为无线通信和射频放大器应用而设计。该器件采用先进的硅锗 (SiGe) 工艺制造,具有高增益、高线性度和低噪声的特点,适用于蜂窝基站、微波无线电和其他射频功率放大的场景。
CBR02C229A9GAC 的工作频率范围较广,能够满足多种通信标准的需求。其封装形式紧凑,便于系统集成,并且具备良好的散热性能以确保长时间稳定运行。
型号:CBR02C229A9GAC
类型:射频功率晶体管
工艺:SiGe
最大输出功率:30W
频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
增益:15dB
效率:55%(典型值)
供电电压:28V
封装:G-FLAT(符合RoHS标准)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
CBR02C229A9GAC 提供了卓越的射频性能,具体特点包括:
1. 高功率处理能力,支持高达30W的输出功率,使其适合各种高功率射频应用。
2. 在广泛的频率范围内保持稳定的增益和效率,特别是在1.8GHz至2.2GHz区间表现尤为突出。
3. 具备出色的线性度和低失真特性,有助于改善信号质量并减少互调干扰。
4. 紧凑型封装设计简化了PCB布局并提高了系统的空间利用率。
5. 内部匹配网络优化了阻抗,减少了外部元件需求,降低了整体设计复杂度。
6. 符合严格的环保要求,使用无铅材料并通过RoHS认证。
CBR02C229A9GAC 广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
2. 微波点对点通信系统。
3. 卫星通信地面站设备。
4. 测试与测量仪器中的信号源放大。
5. 无线基础设施中的高功率射频传输组件。
6. 其他需要高效能射频放大的电子设备。
CBR02C229A8GAN, CBR02C229A9GBL