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CBR02C229A9GAC 发布时间 时间:2025/7/1 8:48:11 查看 阅读:18

CBR02C229A9GAC 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为无线通信和射频放大器应用而设计。该器件采用先进的硅锗 (SiGe) 工艺制造,具有高增益、高线性度和低噪声的特点,适用于蜂窝基站、微波无线电和其他射频功率放大的场景。
  CBR02C229A9GAC 的工作频率范围较广,能够满足多种通信标准的需求。其封装形式紧凑,便于系统集成,并且具备良好的散热性能以确保长时间稳定运行。

参数

型号:CBR02C229A9GAC
  类型:射频功率晶体管
  工艺:SiGe
  最大输出功率:30W
  频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
  增益:15dB
  效率:55%(典型值)
  供电电压:28V
  封装:G-FLAT(符合RoHS标准)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

CBR02C229A9GAC 提供了卓越的射频性能,具体特点包括:
  1. 高功率处理能力,支持高达30W的输出功率,使其适合各种高功率射频应用。
  2. 在广泛的频率范围内保持稳定的增益和效率,特别是在1.8GHz至2.2GHz区间表现尤为突出。
  3. 具备出色的线性度和低失真特性,有助于改善信号质量并减少互调干扰。
  4. 紧凑型封装设计简化了PCB布局并提高了系统的空间利用率。
  5. 内部匹配网络优化了阻抗,减少了外部元件需求,降低了整体设计复杂度。
  6. 符合严格的环保要求,使用无铅材料并通过RoHS认证。

应用

CBR02C229A9GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
  2. 微波点对点通信系统。
  3. 卫星通信地面站设备。
  4. 测试与测量仪器中的信号源放大。
  5. 无线基础设施中的高功率射频传输组件。
  6. 其他需要高效能射频放大的电子设备。

替代型号

CBR02C229A8GAN, CBR02C229A9GBL

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CBR02C229A9GAC参数

  • 数据列表CBR02C229A9GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容2.2pF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-