类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：17V
　　功率：1W
　　封装形式：DO-41
　　工作温度范围：-65°C 至 200°C
　　存储温度范围：-65°C 至 200°C
　　最大齐纳电流：50mA
　　最大反向漏电流：100nA（在额定电压的10%以下）
　　动态电阻：约 10Ω（典型值）

1N4755ARL 的核心特性之一是其稳定的17V齐纳电压，这使其成为许多电压调节和参考应用的理想选择。齐纳二极管在反向击穿区域工作时，能够保持一个相对恒定的电压，即使流过它的电流发生变化。该器件的1W功率能力使其能够在中等功率的电路中使用，而不会过热或损坏。
　　此外，1N4755ARL 采用DO-41封装，这种封装形式具有良好的机械强度和热稳定性，适合在多种环境下使用。其工作温度范围从-65°C到200°C，表明它能够在极端温度条件下保持正常运行，这使其适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的动态电阻较低，有助于减少电压波动并提高稳压精度。动态电阻是指齐纳电压随电流变化的程度，数值越低表示电压越稳定。此外，1N4755ARL 的反向漏电流非常低，通常在100nA以下，这在低功耗或高精度电路中尤其重要。

1N4755ARL 广泛应用于各种电子电路中，主要作为电压基准或稳压元件。例如，在电源电路中，它可以作为参考电压源，用于比较和调节输出电压。在模拟电路中，1N4755ARL 可用于提供稳定的偏置电压，以确保运算放大器或其他模拟器件的工作点稳定。
　　该器件也常用于过压保护电路中，通过限制电路中的最高电压来保护敏感的电子元件免受损坏。在电池供电设备中，1N4755ARL 可用于监测电池电压，并在电压过高时触发保护机制。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，1N4755ARL 也常用于工业控制系统、汽车电子、通信设备和测试仪器等领域。

1N4755A, 1N5255B