时间：2025/7/9 12:47:52
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CBR02C159A9GAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频功率晶体管。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，适用于高频开关应用，如电源转换器、DC-DC转换器和无线充电系统。它具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的功率密度和效率。
这款 GaN 器件具有出色的热性能和电气性能，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，便于集成到紧凑的设计中。
型号：CBR02C159A9GAC
类型：GaN 功率晶体管
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，@25°C）
击穿电压（BVDSS）：200V
最大漏极电流（ID）：9A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.3V 至 2.5V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装：表面贴装
1. 采用先进的氮化镓技术，具备超低导通电阻和极快的开关速度。
2. 高频操作能力使得它可以用于更高效的电源转换应用。
3. 小型化的封装形式使其适合于空间受限的设计。
4. 提供卓越的热性能和可靠性，即使在高负载或高温条件下也能保持稳定的运行状态。
5. 内置静电保护功能，增强了器件的鲁棒性。
CBR02C159A9GAC 主要应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）：
- AC-DC 和 DC-DC 转换器
- PFC（功率因数校正）电路
2. 快速充电器：
- USB PD 充电器
- 移动设备充电解决方案
3. 工业应用：
- 电机驱动
- 不间断电源（UPS）
4. 通信设备：
- 基站电源
- 数据中心供电模块
5. 汽车电子：
- 车载充电器（OBC）
- DC-DC 变换器
CBR02C128A9GAC, CBR02C187A9GAC
