时间：2025/4/28 18:29:20
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CBM201209U190T 是一款基于碳化硅（SiC）材料的高功率密度肖特基二极管。该器件以其高效的开关性能和低反向恢复电荷著称，非常适合高频、高效率的应用场景。其封装形式为 TO-247，具有优异的散热性能和可靠性，能够在严苛的工作条件下稳定运行。
CBM201209U190T 采用了先进的 SiC 技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统的效率。它主要应用于新能源汽车、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等高要求领域。
最大正向电流：20A
峰值重复反向电压：1200V
正向压降（典型值）：1.9V
反向恢复时间：无
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到壳）：0.35 K/W
封装形式：TO-247
CBM201209U190T 的核心优势在于其基于碳化硅材料的独特性能。与传统硅基二极管相比，该器件具备更低的正向压降和零反向恢复电荷，这使其能够支持更高的开关频率而不产生过多的损耗。
此外，CBM201209U190T 的高温稳定性非常出色，能够在高达 175℃ 的环境下持续工作，同时保持较低的漏电流水平。这种高温性能对于工业级和汽车级应用至关重要。
该器件还通过了严格的可靠性测试，包括湿度敏感性测试和高压寿命测试，确保在各种恶劣环境下的长期稳定性。
CBM201209U190T 广泛用于需要高效能量转换和高可靠性的应用场景，例如：
1. 太阳能逆变器中的高频整流电路
2. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器
3. 工业电机驱动中的续流二极管
4. 不间断电源（UPS）中的 PFC 电路
5. 高频开关电源中的整流二极管
由于其低损耗和高频率特性，CBM201209U190T 在上述应用中能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
CMF20120D, STPS20H120CA, 1SMB120A
