LBC848BLT1是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管系列。该器件设计用于通用开关和放大应用,具备良好的高频响应和稳定的性能。LBC848BLT1采用SOT-23封装,体积小巧,适用于需要高密度PCB布局的电子设备。
类型:NPN双极晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-65°C至150°C
增益带宽积(fT):100MHz
直流电流增益(hFE):110至800(根据等级不同)
LBC848BLT1晶体管具备多个重要特性,适用于广泛的电子电路设计。首先,其VCEO电压为30V,允许在中等电压环境中使用,适用于多数低压电子系统。其次,最大集电极电流为100mA,足以满足低功率开关和信号放大需求。该晶体管具有较高的电流增益范围(hFE 110至800),可根据不同等级选择适合的增益值,从而优化电路性能。此外,该器件的增益带宽积(fT)为100MHz,使其在高频放大电路中表现出色,适用于射频和高速开关应用。LBC848BLT1采用SOT-23封装,具有较小的体积和良好的热稳定性,便于在紧凑的电路板上布局。其工作温度范围为-55°C至150°C,确保在极端环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。该器件的可靠性高,符合RoHS环保标准,适合现代电子制造需求。
LBC848BLT1的另一个显著特点是其多功能性。它可用于设计各种放大器电路,如共射放大器、射极跟随器和差分放大器。同时,它也可以作为电子开关用于数字电路中的逻辑控制和驱动电路。由于其较高的频率响应能力,LBC848BLT1也常用于音频放大器、传感器信号调理电路以及低噪声前置放大器。此外,该晶体管的低功耗特性(最大功耗300mW)使其在便携式设备和电池供电系统中具有优势,有助于延长设备的续航时间。
LBC848BLT1广泛应用于多种电子系统中。在消费电子领域,它可用于音频放大器、LED驱动电路、电源管理模块以及各种传感器接口电路。在工业自动化中,该晶体管可用于信号调理、继电器驱动和逻辑控制电路。在通信设备中,LBC848BLT1可用于射频信号放大、调制解调器设计以及数据传输电路。此外,它还可用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车载传感器信号处理模块以及车身控制单元中的开关电路。由于其高稳定性和宽温度范围,LBC848BLT1也适用于户外设备、安防系统和智能电表等长期运行的嵌入式系统。
BC848BLT1, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A