时间：2025/5/12 13:09:56
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CBM160808U501T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和 LED 驱动等场景。该器件通过集成先进的驱动电路与保护功能，显著提高了系统的整体性能和可靠性。
CBM160808U501T 采用了小型化的封装设计，适合在空间受限的应用中使用。其高频特性使其能够减少外围磁性元件的体积，从而实现更高功率密度的设计。
型号：CBM160808U501T
类型：功率转换芯片
工作电压范围：4.5V 至 55V
最大输出电流：8A
开关频率：高达 2MHz
封装形式：QFN-16 (3mm x 3mm)
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ
静态电流：典型值 150μA
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
保护功能：过温保护、过流保护、短路保护
CBM160808U501T 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓场效应晶体管（GaN FET），能够在高频条件下保持低损耗。
2. 内置驱动器减少了外部元件数量，简化了设计流程。
3. 高达 2MHz 的开关频率允许使用更小的电感和电容，从而减小系统尺寸。
4. 具备全面的保护机制，确保在异常情况下不会损坏。
5. 封装小巧，适用于对空间要求严格的便携式设备。
6. 宽输入电压范围支持多种应用场景，例如锂电池供电或工业电源适配器。
7. 低导通电阻有助于降低功耗，提升整体效率。
CBM160808U501T 广泛应用于以下领域：
1. USB-PD 快速充电器和适配器。
2. 高频 DC-DC 转换模块。
3. LED 照明驱动电路。
4. 智能家居设备中的电源管理单元。
5. 工业自动化控制中的辅助电源。
6. 通信设备的小型化电源解决方案。
由于其高频和高效的特点，CBM160808U501T 特别适合需要高功率密度和紧凑设计的应用环境。
CBM160808U301T, CBM160808U401T
