尺寸：1608（1.6×0.8mm）
　　电容值：150pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15%
　　电极结构：Ni/Cu/Sn镀层
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：编带包装，适合自动化贴片生产

CBM160808U151T所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性和长期可靠性。X7R材料是一种类I/类II混合型介电质，能够在宽温范围内维持电容值的相对稳定，特别适用于需要在不同环境温度下保持性能一致的应用场合。该电容器在-55°C到+125°C区间内电容变化率控制在±15%以内，相较于Y5V等材料具有更优的稳定性，虽然其精度略低于C0G/NP0类型电容，但在成本与性能之间实现了良好平衡。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和电源滤波应用中表现出色，能有效吸收瞬态电流波动，提升系统稳定性。
　　结构上，CBM160808U151T采用多层叠层工艺制造，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积的电容密度。其内电极为镍（Ni），外电极经过铜（Cu）和锡（Sn）镀层处理，增强了焊接可靠性和抗湿性，适合回流焊工艺，并兼容无铅焊接流程。产品通过AEC-Q200等可靠性认证的部分系列可用于汽车电子，但具体需参考厂商规格书确认。此外，该型号具有良好的机械强度和抗热冲击能力，在多次热循环后仍能保持电气性能稳定。
　　在实际应用中，CBM160808U151T常用于电源管理单元的输入/输出滤波、IC供电引脚的去耦、射频匹配网络以及模拟信号路径中的耦合与旁路。由于其小尺寸和高一致性，非常适合自动化高速贴片生产线使用，有助于提高生产效率并降低制造成本。同时，该器件具备较强的抗老化能力，电容值随时间推移的变化较小，确保了长期运行的稳定性。

CBM160808U151T广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间布局要求较高的便携式设备和高密度PCB设计。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，该电容常用于处理器核心供电的去耦网络，以滤除高频噪声并稳定电压。在通信设备领域，包括无线模块、基站前端电路和射频识别（RFID）系统，它被用作阻抗匹配元件或耦合电容，发挥其高频响应优势。工业控制与自动化系统中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路和开关电源的滤波环节，提升系统的抗干扰能力。
　　在汽车电子方面，尽管CBM160808U151T并非所有批次均通过AEC-Q200认证，但部分车规级版本可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）和ADAS辅助驾驶系统的电源滤波电路中。此外，在医疗电子设备、测试测量仪器以及物联网终端节点中，该电容也因其可靠的性能和稳定的供货而被广泛选用。由于其50V额定电压适中，既可用于低压逻辑电路保护，也可用于某些中压模拟前端的信号隔离，适用范围较广。

GRM188R71H151KA01D
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　　C1608X7R1H151K