型号：CBM12YTAN151
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类型：MOSFET
　　技术类型：TrenchFET
　　沟道类型：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：12 V
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　连续漏极电流（ID）：19 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：3.2 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V：4.3 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 1.8V：5.7 mΩ
　　阈值电压（Vth）典型值：0.75 V
　　输入电容（Ciss）：1020 pF
　　输出电容（Coss）：470 pF
　　反向传输电容（Crss）：110 pF
　　栅极电荷（Qg）典型值 @ 4.5V VGS：7.5 nC
　　开启延迟时间（td(on)）：4 ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：7 ns
　　上升时间（tr）：18 ns
　　下降时间（tf）：10 ns
　　功耗（Ptot）：3.4 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK 1212-8S
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8

CBM12YTAN151采用了Vishay先进的TrenchFET?沟槽栅极工艺技术，这种结构通过垂直沟道设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现极低的RDS(on)值，在VGS = 4.5V时最大仅为3.2mΩ，即使在较低驱动电压如1.8V下也能保持5.7mΩ的优异表现，这使得它非常适合用于低压大电流应用场景，如移动设备电源管理和同步整流电路。该器件的低栅极电荷（Qg典型值为7.5nC）和低输入/输出电容（Ciss=1020pF, Coss=470pF），使其具备快速开关能力，有效减少开关损耗，提高系统整体能效。同时，其较小的反向传输电容（Crss=110pF）有助于降低米勒效应带来的寄生导通风险，提升高频工作的稳定性。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛环境条件下长期运行。其封装采用PowerPAK 1212-8S，这是一种无引线塑封封装，具有极低的热阻（典型θJA约为40°C/W），能够高效地将芯片热量传导至PCB，增强散热能力，特别适合高密度布局设计。此外，该封装尺寸小巧（约1.2mm x 1.2mm），极大节省了PCB空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　CBM12YTAN151还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，确保在瞬态过压或负载突变情况下仍能安全运行。其阈值电压典型值为0.75V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，兼容现代微控制器和PMIC输出电平。综合来看，这款器件不仅在电气性能上表现出色，而且在封装、热管理、可靠性和环保方面均达到先进水平，是高性能电源系统中理想的功率开关选择。

CBM12YTAN151广泛应用于需要高效、低损耗功率切换的场合。典型应用包括同步降压转换器中的主开关管或整流管，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU、GPU或ASIC等高性能处理器提供稳定的低电压大电流供电。它也常用于DC-DC buck转换器、POL（Point-of-Load）电源模块以及电池供电系统的电源路径管理中，例如智能手机、平板电脑、超极本和其他便携式设备中的电源架构。
　　在负载开关应用中，CBM12YTAN151凭借其极低的导通电阻和快速响应能力，可用于控制外设电源域的开启与关闭，实现节能待机模式或防止浪涌电流冲击。此外，该器件还可用于电机驱动电路、热插拔控制器、LED驱动电源以及各类工业和消费类电子产品的电源管理系统中。由于其支持高频率开关操作，因此也非常适合用于高频PWM控制场景，以减小外部滤波元件体积并提升动态响应性能。其小型化封装也使其成为空间受限应用的理想选择，如可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点中的电源管理单元。

SiR14ADP-T1-GE3
　　AOZ5311NQI-02