电容值：150pF
　　容差：±5%
　　额定电压：100V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流偏压特性：无显著容量下降
　　老化率：≤ ±0.1% / decade
　　绝缘电阻：≥ 50 GΩ·μF
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值约 3.5 GHz

CBM12YTAG151采用C0G（也称NP0）类型的陶瓷介质材料，这是一种具有极高温度稳定性的Ⅰ类陶瓷材料，能够在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持电容值几乎不变，温度系数接近于零（通常为±30ppm/°C以内）。这种优异的稳定性使其特别适用于高频、高Q值谐振电路、射频匹配网络以及需要精确电容值维持的模拟电路中。由于C0G材料不随电压变化而产生明显的容量漂移，因此即使在接近额定电压下工作，也能保证性能的一致性。
　　该器件具备出色的频率响应特性，自谐振频率较高（典型可达3.5GHz以上），意味着它在GHz级别的高频应用中仍能有效发挥去耦和滤波作用，减少高频噪声对敏感电路的影响。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）有助于提升电源完整性，降低热损耗，增强系统整体稳定性。
　　结构上，CBM12YTAG151采用多层陶瓷叠层设计，内部由数十甚至上百层金属电极与陶瓷介质交替堆叠而成，经过高温共烧形成一体式芯片结构，具有机械强度高、抗湿性强、耐热冲击等特点。外电极采用镍阻挡层和锡覆盖层设计，增强了焊接可靠性和长期使用的耐久性，支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程。
　　此外，该型号拥有极低的老化率（小于0.1%每十倍时间），不会像X7R或Y5V等Ⅱ类陶瓷电容那样随时间推移发生明显的容量衰减，因此非常适合用于长期运行且不允许参数漂移的关键系统中。其高绝缘电阻（≥50GΩ·μF）也减少了漏电流问题，在高阻抗电路中表现优异。

CBM12YTAG151因其卓越的温度稳定性和高频特性，被广泛应用于对电容精度和稳定性要求较高的场合。常见用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，如天线调谐、功率放大器输出匹配和低噪声放大器输入匹配电路。在无线通信设备如智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块和物联网终端中，这类电容用于确保信号路径的相位一致性和最小插入损耗。
　　在高速数字系统中，CBM12YTAG151可用于关键电源引脚的高频去耦，特别是在处理器、FPGA或ASIC的I/O电源域附近，可有效滤除高频开关噪声，防止电源波动影响信号完整性。其低ESR和高自谐振频率使其在GHz级噪声抑制方面优于许多其他类型电容。
　　此外，该器件也适用于精密模拟电路，例如运算放大器反馈回路、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路、振荡器稳频电路等，其中电容值的微小变化都可能影响系统性能。医疗电子、测试测量仪器和航空航天电子系统等高可靠性领域也会选用此类C0G材质电容以确保长期稳定运行。
　　由于其小型化封装（0402）和可靠的焊接性能，CBM12YTAG151非常适合高密度PCB布局，满足便携式电子产品对空间利用的最大化需求。同时，其符合环保标准的特点也使它成为绿色电子产品设计的理想选择。

GRM1555C1H151JA01D
　　CC0402JRNPO9BN151
　　CL2012NG1H151JAN