您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A100FXEBC31G

GA1206A100FXEBC31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:02:03 查看 阅读:4

GA1206A100FXEBC31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 N 沟道增强型设计,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片具有低导通电阻和高电流承载能力,同时具备出色的热稳定性和可靠性,适合于高频开关应用。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:100A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关速度:50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A100FXEBC31G 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率;高电流承载能力使得该器件能够在大功率应用中表现出色;此外,其快速开关速度减少了开关损耗,适合高频开关应用。该芯片还具有良好的热性能,能够承受较高的结温,从而提高了系统的可靠性和稳定性。
  在实际应用中,GA1206A100FXEBC31G 可以通过优化栅极驱动来进一步降低开关损耗,并且其 TO-220 封装提供了良好的散热性能,确保在长时间高负载运行时仍能保持稳定。

应用

该功率 MOSFET 主要应用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动、电池保护电路、负载切换以及汽车电子系统等场景。由于其高电流能力和快速开关特性,它非常适合需要高效能量转换和精确控制的应用环境。
  此外,在电动汽车和混合动力汽车中,该芯片也可以用于电池管理系统和逆变器中,以实现对电机的有效驱动和控制。

替代型号

IRFZ44N
  STP100N06
  FDP18N06L

GA1206A100FXEBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容10 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-