型号：CBM12YTAG121
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：DFN-8 (2.5mm x 2.5mm)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.4A（在TC=70°C时）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ（在VGS=-4.5V时）
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（在VGS=-2.5V时）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.4V（在ID=-250μA时）
　　栅极电荷(Qg)：6.4nC（在VGS=4.5V时）
　　输入电容(Ciss)：425pF（在VDS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装(SMD)

CBM12YTAG121采用Vishay成熟的TrenchFET?技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时优化了开关速度与栅极电荷之间的平衡。该MOSFET在低输入电压条件下仍能保持优异的导通性能，尤其适用于3.3V或更低逻辑电平驱动的电源开关电路。其低至28mΩ的RDS(on)（在VGS = -2.5V下测得）使得即使在大电流负载下也能有效减少功耗和发热，从而提升整体系统能效。
　　该器件的封装采用DFN-8（2.5mm × 2.5mm）小型化设计，不仅节省PCB空间，还具备出色的散热能力，得益于底部中央焊盘的设计，可将热量高效传导至PCB地层，确保长时间运行的稳定性。此外，CBM12YTAG121具有较强的抗静电能力，满足IEC 61000-4-2 HBM模型±2kV的ESD防护要求，提升了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。
　　由于其P沟道结构，在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载侧的有效关断，简化了电源管理系统的设计复杂度。器件支持快速开关操作，输入电容仅为425pF，配合低栅极电荷（Qg = 6.4nC），使其非常适合高频DC-DC转换器、同步整流以及电池供电设备中的负载切换等应用。同时，宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保其可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级及汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

CBM12YTAG121广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理场合。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径控制与电池开关；也可用于笔记本电脑和其他移动设备的背光LED驱动电路中的开关元件。
　　在电源管理单元（PMU）或负载开关IC设计中，该MOSFET常被用作高边开关来控制不同子系统的供电通断，以实现节能待机模式或防止反向电流流动。其低导通电阻和快速响应特性也使其适用于同步降压变换器中的续流开关，有助于提升转换效率并降低温升。
　　此外，CBM12YTAG121还可用于USB电源开关、热插拔控制器、DC-DC模块以及各类需要紧凑尺寸和高性能表现的嵌入式系统中。凭借其小型DFN封装和良好的热性能，特别适合高密度印刷电路板布局，是现代高集成度电子产品中理想的功率开关解决方案。

SI2302ADS-T1-E3
　　AO3401A
　　FDS6679