GA1206Y684MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款器件通过优化设计,在热性能和电气性能上表现优异,适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
类型:MOSFET
封装:TO-263
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
ID(持续漏电流):90A
Qg(栅极电荷):75nC
fT(截止频率):1.6MHz
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
GA1206Y684MBJBT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高开关速度,使得其能够在高频应用中表现出色,同时减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力,支持高达 90A 的持续漏电流,适应大功率应用场景。
4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下具备良好的散热能力。
5. 宽广的工作温度范围,使其能在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际环保要求。
该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,具体包括:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于提供高效的电压转换功能。
2. 电机驱动器,特别是在工业控制和消费类电器中的无刷直流电机驱动场景。
3. 太阳能逆变器及储能系统,助力可再生能源领域的能量转换与管理。
4. 汽车电子系统,如电动助力转向 (EPS) 和制动能量回收系统。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF640N
STP90NE60
FDP16N60E