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GA1206Y684MBJBT31G 发布时间 时间:2025/5/29 18:13:36 查看 阅读:7

GA1206Y684MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款器件通过优化设计,在热性能和电气性能上表现优异,适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
  ID(持续漏电流):90A
  Qg(栅极电荷):75nC
  fT(截止频率):1.6MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

GA1206Y684MBJBT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),可以有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高开关速度,使得其能够在高频应用中表现出色,同时减少开关损耗。
  3. 强大的电流承载能力,支持高达 90A 的持续漏电流,适应大功率应用场景。
  4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下具备良好的散热能力。
  5. 宽广的工作温度范围,使其能在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际环保要求。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,具体包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于提供高效的电压转换功能。
  2. 电机驱动器,特别是在工业控制和消费类电器中的无刷直流电机驱动场景。
  3. 太阳能逆变器及储能系统,助力可再生能源领域的能量转换与管理。
  4. 汽车电子系统,如电动助力转向 (EPS) 和制动能量回收系统。
  5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF640N
  STP90NE60
  FDP16N60E

GA1206Y684MBJBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-