CBM100505U601T 是一种基于陶瓷材料的多层片式电容器 (MLCC),适用于高频电路中的信号滤波、耦合和去耦应用。该型号采用 C0G 温度补偿介质,具有出色的温度稳定性和低损耗特性。其设计确保在广泛的温度范围内保持稳定的电容值,适用于要求高稳定性和可靠性的场景。
电容值:10pF
额定电压:50V
公差:±0.5pF
温度系数:C0G (0±30ppm/°C)
封装尺寸:0603英寸 (1.6mm x 0.8mm)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
直流偏置特性:极低影响
ESR:≤10mΩ
频率特性:适用于高达 GHz 的高频应用
CBM100505U601T 使用 C0G 介质,具备卓越的温度稳定性,在整个工作温度范围内电容值的变化极小。此外,它具有非常低的损耗因数 (DF),适合射频和微波电路。其紧凑的 0603 封装使其易于集成到小型化设计中,同时保证了高机械强度和可靠性。
该型号还表现出极低的直流偏置效应,这意味着即使在施加直流电压时,电容值也不会显著下降。这对于需要高精度的应用尤为重要。
此外,CBM100505U601T 具有良好的高频性能,能够在 GHz 频率范围内提供稳定的阻抗特性,因此非常适合用于高频滤波器和匹配网络。
CBM100505U601T 广泛应用于各种高频电子设备中,包括但不限于:
- 无线通信模块中的滤波和匹配网络
- 高速数据传输系统中的信号调理
- 微波电路中的谐振和耦合
- 集成电路电源端的去耦
- 振荡器和滤波器中的精密元件
由于其高稳定性和可靠性,CBM100505U601T 也常被用于航空航天、医疗设备和其他对质量要求极高的领域。
CBM100505U601A, GRM155R71H100JA01D