型号：CBM02YTAN700
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20 V
　　最大连续漏极电流(ID)：14 A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0 V（典型值）
　　导通电阻RDS(on)：5.3 mΩ @ VGS = 4.5 V；6.8 mΩ @ VGS = 2.5 V
　　输入电容(Ciss)：550 pF（典型值）
　　输出电容(Coss)：230 pF（典型值）
　　反向恢复时间(trr)：9 ns（典型值）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：μDFN-8L（3 mm x 3 mm）
　　安装方式：表面贴装

CBM02YTAN700采用Vishay专有的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构实现了极低的导通电阻与寄生参数之间的平衡，从而显著提升了器件的整体效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为5.3mΩ，在同类产品中处于领先水平，有效降低了导通损耗，尤其适用于大电流应用场景。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），使得开关速度更快，动态损耗更小，提高了电源系统的整体能效。
　　该MOSFET的μDFN-8L封装不仅体积小巧（仅3mm×3mm），还具备优异的热性能，支持双面散热设计，可通过PCB布局将热量从顶部和底部同时导出，极大增强了热管理能力。这种封装方式非常适合高功率密度的设计需求，如便携式电子设备、服务器电源模块及车载电子系统等。
　　CBM02YTAN700的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了其在极端环境条件下的可靠运行。器件符合RoHS标准，并通过AEC-Q101汽车级认证，表明其具备良好的可靠性与耐久性，适用于严苛的工业与汽车应用环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=9ns），可减少换流过程中的能量损耗，进一步提升系统效率。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，增强了生产装配过程中的鲁棒性。

CBM02YTAN700广泛应用于各类高效电源转换系统中。其主要应用场景包括同步降压变换器（Buck Converters），特别是在多相VRM（电压调节模块）设计中作为低侧或高侧开关使用，能够显著降低传导损耗并提高转换效率。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源路径的通断，实现快速响应和低静态功耗，适用于移动设备中的外设供电管理。
　　在电池供电系统中，例如笔记本电脑、平板电脑和无人机等便携式设备，CBM02YTAN700可用于电池保护电路或电源多路复用器，提供高效的充放电控制。其低RDS(on)特性也有助于延长电池续航时间。
　　此外，该器件适用于电机驱动应用，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，凭借其快速开关能力和良好热性能，可实现精确的电流控制与高效的能量利用。在汽车电子领域，如ADAS系统、车载信息娱乐系统和LED照明驱动中，CBM02YTAN700因其AEC-Q101认证和宽温工作能力而被广泛采用。数据中心和通信基础设施中的POL（Point-of-Load）转换器也常选用此类高性能MOSFET以满足高效率和高集成度的要求。

SiSS108DN-T1-GE3
　　AOZ5216EQI-01