时间：2025/12/28 1:32:09
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CBH201209W110T是一款由华科半导体（HKSCC）推出的高压、高频、低损耗的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），专为高效率电源转换系统设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热稳定性和开关性能，适用于高温、高电压和高频率的工作环境。其封装形式为表面贴装型（SMD），具体尺寸符合行业标准，便于在紧凑型电源模块中集成。CBH201209W110T广泛应用于工业电源、新能源汽车充电桩、光伏逆变器、服务器电源及通信电源等高端电力电子设备中。由于碳化硅材料本身具有宽禁带特性，该二极管在反向恢复过程中几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而显著降低开关损耗，提升系统整体效率，并减少对散热系统的要求。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力和高可靠性，能够在恶劣工作条件下长期稳定运行。
型号：CBH201209W110T
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
平均正向整流电流（IF(AV)）：11A
正向压降（VF）：1.75V @ 11A, 25°C
反向漏电流（IR）：250μA @ 1200V, 25°C
结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220-2L（表面贴装兼容）
反向恢复时间（trr）：典型值 ≈ 0ns（无反向恢复电荷）
热阻（RthJC）：约 2.5°C/W
CBH201209W110T的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料相较于传统的硅基二极管具有更高的临界击穿电场强度和更优的热导率，使得器件能够在1200V的高压下稳定工作，同时保持较低的导通损耗和优异的热管理能力。其零反向恢复电荷特性是该器件的一大亮点，传统硅快恢复二极管在关断过程中会产生较大的反向恢复电流，导致严重的开关损耗和电磁干扰，而CBH201209W110T由于不存在少子存储效应，反向恢复过程几乎瞬时完成，极大降低了开关过程中的能量损耗，特别适合用于高频PWM调制的DC-DC变换器、PFC电路以及硬开关拓扑中。
此外，该器件具备出色的温度稳定性，在高温环境下反向漏电流增长缓慢，确保系统在满载或高温工况下的可靠性。其175°C的最高结温允许在紧凑散热设计中使用，适用于高功率密度电源系统。CBH201209W110T还具备良好的抗浪涌能力，能够承受短时过电流冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。封装方面，采用TO-220-2L表面贴装兼容设计，既保证了良好的散热性能，又便于自动化贴片生产，适用于大规模制造。整体而言，该器件通过材料创新与结构优化，实现了高效率、高可靠性和高集成度的统一，是现代高效能电力电子系统的理想选择。
CBH201209W110T广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子变换系统。在太阳能光伏逆变器中，该器件常用于直流侧升压电路（Boost PFC）或逆变桥臂的续流路径，利用其低导通压降和零反向恢复特性显著提升系统效率，尤其在轻载和部分负载条件下表现优异，有助于满足能源之星等能效标准。在新能源汽车领域，该二极管可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率整流模块，支持高电压平台（如800V系统）下的快速充电需求，同时降低热管理复杂度。在工业开关电源（SMPS）中，特别是服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中，CBH201209W110T被广泛用于输出整流或有源钳位电路，提升整体转换效率并缩小散热器体积。此外，在电机驱动系统中，该器件可作为IGBT或SiC MOSFET的续流二极管，有效抑制关断时的电压尖峰，提高系统可靠性和EMI性能。由于其宽温域工作能力，也适用于高温工业环境或户外设备中。
Cree C4D10120D
Infineon IDW10G120C
ON Semiconductor FFS10120D
ROHM SCS210AG
