类型：碳化硅MOSFET
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ
　　最大漏极电流（Id）：90A
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　封装形式：TO-247-3L
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　短路耐受能力：有

JMH65R090PCFD碳化硅MOSFET具有多个显著特性，首先其采用了宽禁带半导体材料碳化硅，使其具备更高的击穿电场强度和更高的热导率，从而支持更高的工作温度和更高的功率密度。该器件的导通电阻仅为65mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，JMH65R090PCFD具备优异的开关性能，可支持高频工作，从而减小外围电感和电容的体积，提升系统的功率密度。
　　在可靠性方面，JMH65R090PCFD具有良好的短路耐受能力，能够在短时间的短路故障下保持稳定运行，提高系统的安全性和可靠性。该器件还支持较高的栅极驱动电压，允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制，简化了驱动电路的设计。其TO-247-3L封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度和高可靠性的应用场景。

JMH65R090PCFD碳化硅MOSFET适用于多种高功率和高频率的应用场景，包括但不限于工业电源、电动汽车（EV）车载充电系统（OBC）、充电桩、光伏逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以提高能量转换效率并减少系统热损耗。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，JMH65R090PCFD能够支持更高的开关频率和更小的无源元件体积，从而提升系统整体性能和效率。

C3M0065090D（Wolfspeed）、SCT3040KL（ROHM）、SiC MOSFET 65R090W1B4-XT（Infineon）