制造商：Vishay Semiconductor
　　产品系列：CBG
　　器件类型：PIN 快恢复二极管阵列
　　配置：双二极管，共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：70 V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200 mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1.25 A
　　最大正向压降（VF）：1.1 V @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA @ 70 V
　　反向恢复时间（trr）：4 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-88A）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）

CBG451616U151 具备出色的高频响应能力，其核心优势在于极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为 4 ns，使其能够在高频开关电路中实现快速关断，显著降低开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率。该特性特别适用于高频整流、射频信号检测和高速开关应用，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和便携式电子设备中的电源管理单元。由于其 PIN 结构设计，该器件在导通状态下具有较低的动态电阻，从而减小正向压降，进一步提升能效。
　　该二极管阵列采用双共阴极配置，允许用户在电路设计中灵活实现全波整流或倍压整流功能，尤其适合用于小型化 AC-DC 转换器或能量采集系统中。每个二极管的最大重复反向电压为 70 V，最大平均正向电流为 200 mA，足以应对大多数低功率信号和电源整流需求。此外，其峰值脉冲电流可达 1.25 A，具备良好的瞬态过载承受能力，增强了系统在突发负载条件下的可靠性。
　　CBG451616U151 的最大正向压降在 100 mA 条件下仅为 1.1 V，表明其具有优异的导通性能，有助于减少热积累，提升长期运行稳定性。反向漏电流在 70 V 偏压下不超过 5 μA，说明其在高温或高阻抗电路中仍能保持良好的阻断特性，避免不必要的功耗和信号失真。该器件的结电容较低，通常在几皮法范围内，有利于高频信号的传输与处理，减少信号衰减和相位失真，适用于射频前端模块中的信号检波或包络检测。
　　封装方面，SOT-23 小型化表面贴装封装不仅节省 PCB 空间，还具备良好的热传导性能和机械稳定性。其 MSL 1 等级表示该器件可在车间环境中长期暴露而不受潮气影响，简化了生产流程中的存储与回流焊工艺。此外，该器件符合 JEDEC 标准的焊接轮廓，确保与自动化贴片设备兼容，适用于大规模批量生产。

CBG451616U151 主要应用于需要高频整流和快速开关响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源整流电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的充电管理模块。在这些设备中，该器件可用于实现高效的 DC-DC 转换或低压交流信号的整流处理。此外，它也广泛用于开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在低功率适配器和隔离式电源模块中，利用其快速恢复特性来提升转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　在通信系统中，CBG451616U151 可作为射频信号检波器或包络检测器，用于 AM 解调或信号强度检测，得益于其低结电容和快速响应能力，能够准确还原高频信号的幅度信息。该器件也适用于传感器接口电路、光电探测器偏置网络以及模拟开关中的钳位保护电路。在工业控制和汽车电子领域，该二极管阵列可用于信号调理、瞬态电压抑制和电平移位电路，提供可靠的信号完整性保障。由于其小型封装和高可靠性，CBG451616U151 特别适合空间受限且对性能要求较高的应用场景，如物联网（IoT）节点、无线传感器网络和微型电源模块等。

CBG451616U152
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