型号：CBG322513U900T
　　制造商：Murata
　　封装尺寸：3225（3.2 x 2.5mm）
　　电容值：0.9pF
　　电容公差：±0.05pF
　　介质材料：C0G（NP0）
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RxC ≥ 500S
　　最大厚度：1.3mm
　　端接方式：镍阻挡层 / 锡镀层
　　符合RoHS指令：是
　　产品系列：CBG

CBG322513U900T所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质是Class I类多层陶瓷电容器中最稳定的材料之一，其最显著的特性在于电容值在整个工作温度范围内几乎不发生变化，温度系数为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端高低温环境下，电容值漂移也非常微小，确保了电路频率响应的一致性与可靠性。该特性对于高频模拟电路尤其关键，如在GHz级别的射频匹配网络中，任何微小的电容变化都可能导致信号失配或效率下降。
　　其次，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而实现高Q值（品质因数），这使得它在振荡器、谐振回路和带通滤波器中能够有效减少能量损耗，提升选频能力和信号纯度。此外，由于C0G材料本质上是非铁电性的顺电体结构，因此其电容值不会随施加电压而发生明显变化，表现出优异的直流偏压稳定性，这一点远优于X7R、Y5V等Class II/III介质材料。
　　在机械与环境适应性方面，CBG322513U900T设计用于标准回流焊接工艺，能承受多次热循环而不影响性能。其端电极为三层电极结构（Inner Electrode / Ni Barrier / Sn Plating），提供了良好的可焊性和抗迁移能力，防止银离子迁移导致短路等问题。同时，该器件具备出色的抗湿性和长期老化稳定性，电容年老化率接近于零，适合用于要求长寿命和高可靠性的工业、汽车及通信设备。
　　此外，尽管其电容值仅为0.9pF，但在毫米波和超高频（UHF）应用中，这种极小容值可用于精确调节谐振频率或补偿寄生电容，满足现代无线系统对精密调谐的需求。其小型化封装（3225）在保持一定机械强度的同时，最大限度地节省PCB空间，适用于高集成度模块设计。

CBG322513U900T因其高稳定性、低损耗和高频适用性，主要应用于对信号完整性和频率精度要求极高的射频和微波电路中。一个典型的应用场景是在无线通信系统的射频前端模块（RF Front-End Module, FEM）中，作为阻抗匹配网络的一部分，用于优化功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）与天线之间的能量传输效率。在这些电路中，即使是0.1pF级别的电容偏差也可能引起明显的驻波比（VSWR）升高或增益下降，因此必须使用像C0G这样高精度、低漂移的电容器。
　　另一个重要应用是在压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）电路中，CBG322513U900T可用于构建LC谐振回路中的并联或串联调谐电容，帮助设定中心频率并提高频率稳定性。由于其电压系数近乎为零，不会因控制电压波动而导致额外的频率偏移，从而保证了输出信号的纯净度和相位噪声性能。
　　此外，该器件还广泛用于各类滤波器设计，特别是在带通、带阻和陷波滤波器中，用于精确控制谐振点位置。在5G通信、Wi-Fi 6E、蓝牙、ZigBee和UWB（超宽带）等高频无线技术中，这类小容值C0G电容不可或缺。
　　其他应用场景包括测试测量仪器、雷达系统、卫星通信终端以及高精度传感器接口电路。由于其工作温度范围宽且可靠性高，也可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的射频模块，以及工业级物联网节点设备中。随着高频高速电子系统的不断发展，CBG322513U900T这类高性能MLCC的需求将持续增长。

GJM3225C1H9R0WA01D
　　CC03K9B50