时间：2025/10/31 15:44:59
阅读：6
DMG4435SSS-13-89是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型化封装技术，适用于高密度和空间受限的电子应用。该器件基于先进的沟槽型MOSFET工艺制造，能够在低电压条件下提供优异的开关性能和导通特性，特别适合电池供电设备、便携式电子产品以及电源管理模块等应用场景。其封装形式为SOT-23（SC-70），是一种三引脚表面贴装器件，具有较小的占位面积和良好的热性能，便于在紧凑的PCB布局中使用。由于其P沟道结构，该MOSFET在栅极施加负电压相对于源极时导通，常用于高端开关或负载开关配置中，实现对电源路径的有效控制。此外，DMG4435SSS-13-89具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少开关损耗并提升系统效率，尤其在高频开关应用中表现优异。该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在汽车电子环境下的稳定性和耐用性，可广泛应用于车载信息娱乐系统、LED驱动、电机控制以及其他需要高可靠性的工业与消费类电子产品中。
型号：DMG4435SSS-13-89
类型：P沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23 (SC-70)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大漏源电压(VDS)：-30V
最大连续漏极电流(ID)：-4.1A
最大脉冲漏极电流(IDM)：-12A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V
导通电阻(RDS(on))：52mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：330pF @ VDS = -15V
输出电荷(Qgd)：6.5nC @ VDS = -20V
功率耗散(PD)：500mW
DMG4435SSS-13-89采用先进的沟槽技术设计，实现了低导通电阻与高开关速度之间的良好平衡，使其在低电压电源管理应用中表现出色。其RDS(on)在-10V的栅极驱动下仅为45mO，而在更常见的-4.5V逻辑电平驱动下也保持在52mO以下，确保在电池供电系统中能有效降低传导损耗，延长续航时间。该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或更低的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss=330pF）和栅极电荷（Qgd=6.5nC），显著减少了开关过程中的动态损耗，提升了整体能效，尤其适用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等高频操作场景。其SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，在500mW的功率耗散能力下仍能维持稳定运行。器件经过优化的热阻设计使得即使在有限的PCB铜箔面积下也能有效散热。
DMG4435SSS-13-89具备出色的雪崩能量耐受能力和抗静电能力，增强了在瞬态过压和恶劣电磁环境下的鲁棒性。其符合AEC-Q101标准，意味着该器件通过了严格的质量与可靠性测试，包括高温反向偏置、温度循环、高压蒸煮等，适用于汽车级应用。同时，产品无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色制造流程。总体而言，这款P沟道MOSFET结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代高效能、小型化电子系统的理想选择。
DMG4435SSS-13-89广泛应用于多种便携式电子设备和电源管理系统中。典型用途包括锂电池保护电路中的高端开关，利用其P沟道特性实现对正极电源路径的通断控制，避免N沟道MOSFET所需的自举电路，从而简化设计并降低成本。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为同步整流管使用，提高转换效率，减少发热。此外，该器件适用于各类负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电，如摄像头模组、显示屏背光、无线通信模块等，实现按需上电以节省能耗。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、TWS耳机和可穿戴设备中，DMG4435SSS-13-89凭借其小型封装和低静态功耗优势，成为理想的电源开关元件。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载传感器供电管理、LED照明驱动以及信息娱乐系统的电源切换，满足车规级对温度范围和长期稳定性的严苛要求。工业控制方面，可用于PLC输入输出模块、智能电表、便携式医疗设备中的电源隔离与分配。此外，其快速响应特性和低漏电流也使其适用于电池充电管理IC外围电路和USB电源开关，防止反向电流和短路故障。总之，凡是在需要高效、小型化、可靠P沟道MOSFET的场合，DMG4435SSS-13-89均是一个极具竞争力的选择。
DMG4435SSS-7
DMP4035SSS-7
AO3415
Si3463DV
FDMC86263
