时间：2025/4/27 9:55:47
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CBG321609U750T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其封装形式为 TO-247，适合大功率应用场合。
型号：CBG321609U750T
类型：N-Channel MOSFET
工作电压（Vds）：750V
连续漏极电流（Id）：32A
导通电阻（Rds(on)）：160mΩ
栅极电荷（Qg）：85nC
总功耗：300W
结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
CBG321609U750T 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（750V），适用于高压环境下的功率转换。
2. 低导通电阻（160mΩ），可有效降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低（85nC），减少开关损耗。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。
5. 封装形式为 TO-247，便于散热设计，适合高功率密度的应用场景。
6. 可靠性高，通过了多种工业级标准测试，适用于严苛的工作条件。
CBG321609U750T 主要应用于以下领域：
1. 工业电源和不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。
2. 太阳能逆变器中用于直流到交流的转换。
3. 电动车辆的电机控制器和驱动电路。
4. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关元件。
5. 大功率 LED 驱动器和照明系统的控制电路。
6. 各种需要高电压、大电流切换的工业自动化设备。
CBG321610U750T, IRFP260N, STP32NF75
