CBG321609U750T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其封装形式为 TO-247,适合大功率应用场合。
型号:CBG321609U750T
类型:N-Channel MOSFET
工作电压(Vds):750V
连续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):160mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
总功耗:300W
结温范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
CBG321609U750T 的主要特性包括:
1. 高击穿电压(750V),适用于高压环境下的功率转换。
2. 低导通电阻(160mΩ),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,栅极电荷较低(85nC),减少开关损耗。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期运行。
5. 封装形式为 TO-247,便于散热设计,适合高功率密度的应用场景。
6. 可靠性高,通过了多种工业级标准测试,适用于严苛的工作条件。
CBG321609U750T 主要应用于以下领域:
1. 工业电源和不间断电源(UPS)系统中的功率转换模块。
2. 太阳能逆变器中用于直流到交流的转换。
3. 电动车辆的电机控制器和驱动电路。
4. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关元件。
5. 大功率 LED 驱动器和照明系统的控制电路。
6. 各种需要高电压、大电流切换的工业自动化设备。
CBG321610U750T, IRFP260N, STP32NF75