时间：2025/6/19 6:27:29
阅读：1
CBG201209U152T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，适用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用了增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著提高系统效率并减小整体尺寸。
由于其出色的性能表现，CBG201209U152T 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电以及电机驱动等领域。
型号：CBG201209U152T
类型：增强型 GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：150mΩ
Id（连续漏极电流）：8A
Qg（总栅极电荷）：30nC
Eoss（输出电容能量损耗）：47μJ
Ciss（输入电容）：1200pF
Coss（输出电容）：95pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CBG201209U152T 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (150mΩ)，能够有效降低导通损耗。
3. 快速开关速度，具备低栅极电荷 (30nC)，可实现高频操作。
4. 减少系统体积和重量，同时提升功率密度。
5. 高效的能量转换，优化了动态特性和静态特性。
6. 完全增强模式设计，无需复杂的偏置电路。
7. 具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
这些特点使得 CBG201209U152T 成为高性能电源管理的理想选择。
CBG201209U152T 可广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 设计，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 高频逆变器和电机驱动器。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
4. 太阳能微逆变器和储能系统。
5. USB-PD 快充适配器。
6. 无线充电发射端和接收端。
7. 工业自动化设备中的高效电源解决方案。
通过利用 CBG201209U152T 的高性能特性，可以显著提升上述应用的整体效率和可靠性。
CBG201209U120T, CBG201209U152S, EPC2020
