类型：瞬态电压抑制器阵列
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：25 V
　　最大峰值脉冲电流（Ipp）：3.76 A
　　钳位电压（Vc）：45.8 V @ Ipp
　　电容（Cj）：典型值 15 pF
　　反向漏电流（IR）：最大 1 μA
　　击穿电压（VBR）：最小 28.6 V，最大 31.6 V
　　封装类型：DFN-10
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD 耐受能力：±30 kV（接触放电）
　　IEC 61000-4-2 等级：4 级
　　IEC 61000-4-4 等级：4 级

2920L250DR的核心特性之一是其高集成度与小型化封装设计，使其成为现代高密度PCB布局中的理想选择。该器件采用DFN-10封装，尺寸仅为3 mm × 3 mm，厚度小于1 mm，非常适合用于超薄消费类电子产品中。这种封装不仅节省空间，还具备良好的热性能和机械稳定性，能够在高温和振动环境下保持可靠运行。器件内部集成了四个独立的TVS二极管通道，每个通道均可独立工作，支持双向保护模式，能够应对正负方向的瞬态电压冲击。这使得它在复杂信号路径中提供了灵活且全面的保护能力。
　　另一个关键特性是其低动态电阻和快速响应能力。当发生ESD事件时，2920L250DR能在极短时间内（通常小于1纳秒）导通并迅速将瞬态能量泄放到地，从而将电压钳制在安全范围内。其钳位电压Vc在最大脉冲电流下仅为45.8 V，显著低于大多数半导体器件的击穿阈值，有效避免了因过压导致的功能失效或永久性损伤。同时，该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能承受高达±30 kV的接触放电和空气放电测试，展现了卓越的抗干扰能力和系统鲁棒性。
　　此外，2920L250DR具有极低的结电容（典型值15 pF），这一特性对于高速数据传输接口至关重要。低电容意味着对信号上升/下降时间和带宽的影响极小，不会引入明显的信号失真或延迟，因此特别适用于USB 2.0、HDMI、MIPI、SDIO等高频信号线路的保护。其反向漏电流低于1 μA，在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗，有助于提升系统的整体能效表现。综上所述，2920L250DR凭借其高性能、小体积和高可靠性，成为高端电子设备中不可或缺的电路保护元件。

2920L250DR广泛应用于各类需要高等级ESD保护的消费类电子产品中。例如，在智能手机和平板电脑中，它常被用于保护主处理器与外部接口之间的高速数据线，包括USB Type-A/C、耳机插孔、触摸屏控制器、摄像头模块以及Wi-Fi/蓝牙天线连接器等。这些接口频繁暴露于用户操作环境中，极易受到人体静电放电的影响，因此必须配备高效的TVS保护器件以确保长期稳定运行。
　　在笔记本电脑和超极本设备中，2920L250DR可用于保护Mini DisplayPort、Thunderbolt、SD卡读卡器和电源按钮等易受瞬态干扰的节点。特别是在雷雨天气或电源切换过程中可能出现的电快速瞬变脉冲群（EFT），该器件能够有效吸收瞬态能量，防止主板控制芯片或存储单元受损。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、医疗仪器和汽车信息娱乐系统中的信号接口保护。在这些应用场景中，电磁兼容性（EMC）要求严格，2920L250DR不仅能通过各项国际标准认证，还能在恶劣电磁环境中维持系统稳定性。随着物联网设备和智能穿戴产品的发展，对微型化和高性能保护元件的需求持续增长，2920L250DR因其出色的综合性能而成为众多工程师的首选方案。

SMF250C-TAP
　　ESD5451N05-R