时间：2025/12/23 16:08:14
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CBG160808U401T是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用场景。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能，并提供高达98%的系统能效。其设计旨在满足消费电子、工业设备及通信领域对小型化、高效化的严苛要求。
CBG160808U401T内部集成了驱动电路与保护机制，支持快速开关频率操作，从而显著减少磁性元件体积并提升整体功率密度。
型号：CBG160808U401T
类型：GaN功率晶体管
工作电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：25nC
开关频率：最高5MHz
封装形式：QFN 8x8mm
工作温度范围：-40℃至+125℃
热阻：1.2°C/W
CBG160808U401T具备以下突出特性：
1. 高频操作能力：得益于氮化镓材料的优异性能，能够支持高达5MHz的开关频率，远超传统硅基MOSFET。
2. 极低导通电阻：40mΩ的Rds(on)确保了在高电流条件下的高效运行，同时减少了发热问题。
3. 集成保护功能：内置过流保护、短路保护和过温关断等功能，极大提高了系统的可靠性和安全性。
4. 小型化设计：采用紧凑型QFN封装，适合空间受限的应用环境。
5. 快速瞬态响应：针对负载突变时保持稳定输出表现而优化，非常适合电池供电类设备。
6. 宽泛的工作温度范围：从低温到高温均能维持良好性能，适应多种实际使用场景。
CBG160808U401T广泛应用于以下领域：
1. 手机及平板电脑快充适配器
2. 笔记本电脑电源模块
3. 工业级隔离式DC-DC变换器
4. 电动汽车车载充电器
5. 高效LED驱动电路
6. 无线充电发射端与接收端解决方案
7. 通信基站中的辅助电源单元
这款芯片因其卓越的效率与可靠性，在各类需要高性能功率转换的场合中表现出色。
CBG160808U402T
Nexperia GA30N060L
Transphorm TP65H036WS
EPC EPC2016C
