时间：2025/4/28 10:37:18
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CBG160808U271T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率的电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能，并且能够显著提高开关频率和降低导通损耗。其典型应用场景包括电源适配器、快充设备、无线充电模块以及DC-DC转换器等。由于其卓越的性能表现，CBG160808U271T 成为新一代高频高效电源设计的理想选择。
该芯片集成了驱动电路与保护功能，从而减少了外围元件数量并提高了系统可靠性。同时，它支持高达100V的工作电压范围，具有较低的导通电阻，使得其在轻载和满载条件下均能保持较高的转换效率。
型号：CBG160808U271T
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：27mΩ
栅极阈值电压：1.5V~3.5V
工作温度范围：-40℃~+125℃
封装形式：DFN8（3mm x 3mm）
开关频率：支持高达5MHz
CBG160808U271T 具备以下显著特点：
1. 氮化镓材料的应用使其能够在高频下实现更低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体效率。
2. 内置驱动电路简化了设计流程，同时减少了对外部驱动IC的需求。
3. 支持快速瞬态响应，非常适合用于USB PD快充和其他动态负载环境。
4. 提供全面的保护功能，如过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和短路保护（SCP），确保在异常情况下设备的安全运行。
5. 小型化的DFN8封装节省了PCB空间，有助于开发紧凑型产品。
6. 高效散热设计使芯片能够在高功率密度条件下长期稳定工作。
CBG160808U271T 广泛应用于以下领域：
1. USB-PD快充头及便携式电源适配器。
2. 高频DC-DC转换器，特别是那些需要小体积和高效能的设计。
3. 工业用AC-DC电源模块，例如服务器电源或通信设备电源。
4. 无线充电发射端和接收端的功率传输电路。
5. LED驱动器中的同步整流部分。
6. 消费类电子产品中的电池管理系统（BMS）和能量回收单元。
这款芯片凭借其高性能指标和灵活的适用性，成为众多现代电子设备的核心组件。
CBG160808U251T
NV6115
TPS2559
