时间:2025/12/28 0:47:08
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CBG160808U000T是一款由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的多层陶瓷片式电感器(Multilayer Ceramic Chip Inductor),属于其CBG系列。该器件采用先进的多层陶瓷叠层技术,将精细的金属导体图案嵌入陶瓷介质中,并通过高温共烧工艺形成一体化结构。这种设计使得CBG160808U000T在极小的封装尺寸下实现了稳定的电感性能和较高的自谐振频率(SRF),适用于高频信号处理和射频电路中的噪声抑制应用。该型号的命名遵循村田的标准编码规则:'CBG'代表产品系列,'1608'表示其外形尺寸为1.6mm × 0.8mm(即公制1608封装),'08'可能与内部层数或特定版本相关,'U'表示电感值偏差等级(通常为±0.2nH超精密级别),'000T'则表明其标称电感值为0.0nH,即该器件实际上是一个“磁珠型”零欧姆电感或高频通路元件,常用于射频匹配或作为高频旁路使用。由于其超小型化设计和优异的高频特性,CBG160808U000T广泛应用于移动通信设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及无线模块等对空间和性能要求严苛的场合。
产品系列:CBG
封装尺寸:1608(1.6mm x 0.8mm)
尺寸代码(英制):0603
电感值:0.0nH
电感公差:±0.2nH (U级)
直流电阻(DCR)典型值:0.09Ω
额定电流:500mA (基于温升30°C)
自谐振频率(SRF)最小值:4GHz以上
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
焊接耐热性:符合JIS C 7031标准
端子电极:镍/锡三层结构(Ni-Sn),具有良好的可焊性和耐腐蚀性
CBG160808U000T的核心特性在于其作为高频零欧姆电感或超低感值磁珠的独特定位。尽管标称为0.0nH电感值,但它并非简单的金属连接体,而是通过精密多层陶瓷工艺制造的高频功能元件,具备可控的寄生参数和稳定的阻抗特性。在实际应用中,它主要用于射频路径中的直流偏置馈送(bias feeding)、天线匹配网络中的虚拟电感补偿、或作为高频信号路径上的“隐形”连接元件,避免使用跳线或过孔带来的寄生效应。由于采用了高介电常数陶瓷材料与精细内电极设计,该器件在4GHz以上的频段仍能保持较高的自谐振频率,确保在整个工作频带内不会进入容性区域,从而维持信号完整性。
此外,CBG160808U000T具有极低的直流电阻(DCR),典型值仅为0.09Ω,这使其在传输直流偏压时功耗极低,不会显著影响电源效率或引起温升问题。同时,其额定电流可达500mA,足以满足多数射频放大器、滤波器或开关电路的偏置需求。器件的电感值精度高达±0.2nH(U级),即使在接近零感值的情况下也能保证批次间的一致性,这对于高频匹配网络的稳定性至关重要。
机械与环境方面,该元件采用表面贴装(SMD)封装,兼容自动化贴片工艺,且经过严格的回流焊测试验证,可在无铅焊接条件下稳定工作。其端子为镍/锡三层电极结构,具备优良的可焊性和长期可靠性,适合在高湿度、高温变化等复杂环境中长期运行。整体结构坚固,抗机械应力能力强,适用于便携式设备中常见的振动和热循环场景。
CBG160808U000T主要应用于高频和射频电子系统中,特别是在需要精确控制寄生参数和优化信号路径的场合。一个典型应用场景是在射频前端模块(RF Front-End Module, FEM)中作为偏置电压注入路径的“零欧姆电感”,用于将直流电压施加到功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)或射频开关上,同时阻止射频信号泄漏至电源网络。在这种配置中,传统的电感器可能会因体积大或寄生电容过高而不适用,而CBG160808U000T凭借其微型化设计和超高自谐振频率,能够在不影响射频性能的前提下实现高效的直流馈送。
另一个重要应用是天线调谐电路或阻抗匹配网络中的虚拟电感元件。在现代智能手机或多模通信设备中,天线需适应多个频段(如LTE、5G NR、Wi-Fi 6E等),匹配网络常采用可变电容与固定电感组合进行动态调谐。当理论计算所需的电感值极低甚至趋近于零时,CBG160808U000T可充当“理想导体”角色,但在PCB布局中仍保留电感符号和焊盘位置,便于设计统一和生产一致性。
此外,该器件也可用于高速数字电路中的电源去耦旁路路径,尤其是在GHz级时钟信号附近,用作高频噪声的疏导通道。由于其低DCR和高SRF特性,能够有效隔离不同电源域之间的高频干扰,提升系统EMI性能。在毫米波雷达、UWB(超宽带)通信、蓝牙低功耗(BLE)模块等领域也有潜在应用价值。