品牌：Walsin（华新科）
　　型号：CBC3225T221MR
　　封装尺寸：3225（1210）
　　电容值：220μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　电介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15%（在-55°C至+125°C范围内）
　　产品类型：表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡电极（Ni-Sn）
　　耐焊热性：通过JEDEC J-STD-020标准
　　使用寿命：在额定电压和最高工作温度下可长期稳定运行

CBC3225T221MR所采用的X7R电介质材料是一种稳定的铁电体材料，能够在宽温度范围内保持相对稳定的电容性能，其电容变化率在-55°C到+125°C之间不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度稳定性要求较高的应用环境。该电容器的结构采用多层堆叠设计，通过交替叠加陶瓷介质层与内电极实现高电容密度，从而在有限的物理尺寸内提供较大的电容量。这种结构不仅提高了单位体积的储能能力，还有效降低了等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声抑制方面表现优异。
　　该器件具有低等效串联电阻（ESR）特性，有助于减少在高频开关电源中的能量损耗，提高电源效率，并降低发热风险。此外，其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产，提升了制造效率和组装一致性。电极采用镍阻挡层加锡覆盖的设计，增强了抗迁移能力和焊接可靠性，防止银离子迁移导致的短路问题，同时兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。
　　CBC3225T221MR经过严格的质量控制流程，具备高可靠性和长寿命，可在恶劣的工作环境下稳定运行。其机械强度较高，能够承受一定的机械应力和热循环冲击，适用于车载电子、工业设备等对可靠性要求较高的领域。虽然其电容值会随着施加直流偏压而有所下降（这是所有高介电常数陶瓷电容的共性），但在实际应用中仍能提供足够的有效电容以满足大多数去耦需求。总体而言，该器件结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代电子设计中理想的被动元件选择之一。

CBC3225T221MR多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要稳定电容性能和较高电容值的场合。在电源管理电路中，它常被用作输入/输出端的去耦电容，用于平滑电压波动、抑制电源噪声并提高系统的稳定性。例如，在DC-DC转换器、LDO稳压器和开关电源模块中，该电容能够有效滤除高频纹波，保障后级电路的正常运行。
　　在数字电路系统中，如微处理器、FPGA、ASIC和存储器模块的供电网络中，CBC3225T221MR可用于局部电源去耦，快速响应瞬态电流变化，防止因电流突变引起的电压跌落或过冲，从而提升系统运行的可靠性与抗干扰能力。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备、通信基站、网络交换机、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、电视等）以及汽车电子系统中的辅助电源电路。由于其工作温度范围宽且可靠性高，即使在高温或温差变化剧烈的环境中也能保持良好性能，因此在车载信息娱乐系统、车身控制模块等领域也有广泛应用。
　　在模拟信号处理电路中，该电容可用于耦合、旁路和滤波功能，尤其是在中频段信号路径中表现良好。尽管其不属于高精度C0G/NP0类电容，但由于X7R材料的稳定性，仍可在非精密模拟电路中安全使用。总之，CBC3225T221MR凭借其优良的电气特性和紧凑的封装尺寸，成为现代电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

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　　 "GRM43F7ER25V220ME11L",
　　 "CL31B220MBHNNNE",
　　 "C3225X7R2A220ME",
　　 "EMK3225BBJ220KL-T"
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