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IS66WVE4M16BLL 发布时间 时间:2025/9/1 15:31:14 查看 阅读:10

IS66WVE4M16BLL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能异步静态随机存取存储器(Asynchronous SRAM)。这款SRAM的存储容量为4Mbit(256K x 16),采用高速异步设计,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。IS66WVE4M16BLL封装形式为54引脚LLPDIP(Low-Profile Plastic Dual In-line Package),适用于工业级温度范围,具备良好的稳定性和可靠性。

参数

容量:4Mbit
  组织方式:256K x 16
  访问时间:10ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:54引脚LLPDIP
  接口类型:异步
  最大工作频率:100MHz
  输入/输出电压兼容性:3.3V和5V兼容
  待机电流:最大5mA(典型值1mA)

特性

IS66WVE4M16BLL具有高速访问时间和低功耗设计,适用于各种高性能嵌入式系统。其异步接口简化了与外部控制器的连接,降低了系统设计的复杂性。该SRAM支持宽电压范围供电,增强了其在不同应用环境中的适应性。此外,IS66WVE4M16BLL具有出色的稳定性和抗干扰能力,能够在高温和恶劣环境下保持正常运行。
  该芯片的待机模式可显著降低功耗,延长电池寿命,特别适用于便携式设备和低功耗应用。其54引脚LLPDIP封装提供了良好的散热性能,同时节省了PCB空间,适合高密度电路设计。IS66WVE4M16BLL的多种自动低功耗模式(如待机模式和深度掉电模式)进一步优化了功耗管理。
  此外,IS66WVE4M16BLL还支持多种数据总线宽度配置,增强了其灵活性和兼容性。它广泛应用于网络设备、工业控制、通信模块、测试仪器和消费类电子产品。

应用

IS66WVE4M16BLL广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中,如嵌入式控制器、DSP系统、FPGA缓存、工业自动化设备、通信路由器和交换机、测试与测量设备、图像处理模块、便携式医疗设备以及高性能消费类电子产品。

替代型号

IS66WV51216BLL、IS66LV20488BLL、CY7C1380D、IDT71V416SA、AS7C34098A、ISSI IS66WVE1M16

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