时间：2025/12/27 10:07:36
阅读：8
CB2016T680M是一款由华新科技（Walsin Technology Corporation）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其常规的片式电容产品线。该器件采用紧凑的2016尺寸封装（即0805公制尺寸，2.0mm x 1.6mm），适用于对空间有严格要求的便携式电子设备和高密度电路板设计。型号中的'680M'表示其标称电容值为68pF，容差为±20%（M代表±20%精度等级）。该电容器采用温度稳定型介质材料（通常为C0G/NP0类或X7R类），但根据命名规则及常见系列推断，CB2016系列更可能采用X7R特性介质，适合在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持稳定的电性能。CB2016T680M广泛应用于去耦、滤波、旁路、耦合以及一般信号处理电路中，尤其在电源管理模块、消费类电子产品、通信设备和工业控制等领域具有广泛应用。作为表面贴装器件（SMD），它兼容自动化贴片工艺，便于大规模生产组装。
尺寸：2.0mm x 1.6mm (0805)
电容值：68pF
容差：±20%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R（-55°C to +125°C, ΔC/C ≤ ±15%）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
绝缘电阻：≥4000 MΩ·μF 或 ≥500 MΩ（取较大值）
耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿
等效串联电阻（ESR）：低至数毫欧级别（具体取决于频率和测试条件）
自谐振频率（SRF）：百MHz级别，适合作为高频去耦使用
CB2016T680M所采用的X7R介电材料使其具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温范围内，电容值变化不超过±15%，这使得该器件非常适合用于需要在极端环境条件下保持性能稳定的电子系统。相较于C0G/NP0类电容，X7R材料能够在较小封装内实现更高的电容密度，因此在不牺牲太多精度的前提下显著提升了体积效率。此款电容器具有优异的机械强度与抗热冲击能力，经过优化的端电极结构支持回流焊工艺，并具备良好的可焊性和长期可靠性。其三层金属化电极设计（Triple Plating Structure）有效增强了耐湿性与抗裂性，降低了因PCB弯曲或热应力导致的开裂风险。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于无铅焊接流程。CB2016T680M还具备低等效串联电阻（ESR）和较低的介质损耗（tanδ ≤ 3.5%），有助于提升电源系统的滤波效率并减少发热问题。由于其稳定的电气特性和小型化封装，该电容常被用作高速数字电路中的局部去耦电容，以抑制高频噪声和电压波动。制造商通过严格的批次管控和老化筛选确保产品的一致性与长期使用寿命，适用于汽车电子、工业设备、网络通信模块等对可靠性要求较高的应用场景。
值得注意的是，尽管X7R材质存在一定的直流偏压效应（即施加电压后电容值略有下降），但对于68pF这样的小容量值影响相对较小，因此在多数实际应用中仍能维持较好的性能表现。整体而言，CB2016T680M是一款兼顾尺寸、性能与成本效益的通用型MLCC，适用于多种中高压、中等精度需求的电路设计场景。
CB2016T680M广泛应用于各类电子设备中的信号耦合、去耦、滤波和旁路电路。在电源管理系统中，常用于IC供电引脚的高频噪声滤除，起到稳定电压的作用，尤其是在DC-DC转换器、LDO稳压器周边作为输出滤波元件。在射频（RF）与无线通信模块中，因其具备良好的高频响应特性，可用于阻抗匹配网络、LC谐振电路以及带通滤波器设计，帮助优化信号传输质量。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，该电容器凭借其小型化封装优势，被大量用于主板高密度布线区域，满足轻薄化设计需求。此外，在工业控制设备、医疗电子仪器及汽车电子模块（如车载信息娱乐系统、传感器接口电路）中，CB2016T680M也发挥着关键作用，提供可靠的电容支持。由于其工作温度范围宽且可靠性高，特别适合部署于环境条件较严苛的应用场合。同时，该器件还可用于时钟电路、放大器输入/输出耦合、ADC/DAC参考电压旁路等多种模拟与混合信号电路中，保障信号完整性。在自动化生产线中，其标准SMD封装形式完全兼容贴片机作业，有利于提高生产效率并降低制造成本。总体来看，CB2016T680M是一款通用性强、适用范围广的表面贴装陶瓷电容器，能够满足现代电子系统对小型化、高性能和高可靠性的综合要求。
CL21A680MQYNNNE
GRM21BR71H680KA01L
CC0603JRX7R9BB680
