尺寸规格：2016 (2.0×1.6mm)
　　容量：15pF
　　容量公差：±20%
　　额定电压：50VDC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：0±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较小值）
　　耐压能力：1.5倍额定电压持续5秒
　　等效串联电阻（ESR）：极低（典型值在毫欧级别，具体依频率而定）
　　自谐振频率（SRF）：GHz级别（取决于具体应用环境和PCB布局）

CB2016T150MV所采用的C0G（亦称NP0）陶瓷介质赋予其卓越的电容稳定性，这是其最核心的技术优势之一。C0G材料是一种以钛酸镁为主晶相的温度补偿型陶瓷，其电容值在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，电容器的实际容量几乎保持恒定，不会引入额外的频率漂移或相位失真。这种高度稳定的电气性能使其成为高频振荡器、锁相环（PLL）、压控振荡器（VCO）以及射频匹配网络中的理想选择。此外，C0G介质还具备极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），确保了在高频应用下能量损耗最小化，提高了电路的整体效率和信号完整性。
　　该电容器具有优异的电压系数表现，即在施加不同直流偏压时，其电容值不会发生明显下降，这一点与高介电常数的X7R或Y5V材质电容形成鲜明对比。即使在接近额定电压50V的条件下工作，CB2016T150MV仍能维持标称电容值，保证了电路参数的一致性。同时，其老化特性几乎可以忽略不计——C0G类电容不具备铁电材料的老化机制，因此电容值不会随时间推移而衰减，长期可靠性极高。
　　从结构上看，CB2016T150MV采用多层叠膜共烧工艺制造，内部由数十甚至上百层交错排列的镍内电极与陶瓷介质层构成，有效提升了单位体积下的电容密度与机械强度。外电极采用三层端子结构（铜-镍-锡），具备良好的可焊性、抗热冲击能力和耐潮湿性能，能够承受多次回流焊过程而不损坏。该器件符合EIA-198标准，并通过AEC-Q200部分应力测试认证（视具体批次而定），适用于对可靠性要求较高的工业与通信类产品。由于其低寄生电感和高自谐振频率（通常可达数GHz），CB2016T150MV可在超高频段（如UHF、L-band）稳定工作，广泛用于滤波器、谐振电路和阻抗匹配网络中。

CB2016T150MV因其出色的频率稳定性和低损耗特性，主要应用于对信号精度和稳定性要求严苛的电子系统中。典型用途包括各类射频（RF）电路模块，例如无线通信设备中的天线匹配网络、功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入耦合以及混频器级间耦合等场景。在这些应用中，微小的电容偏差可能导致严重的阻抗失配，进而影响传输效率和信噪比，因此必须选用像C0G这样的高稳定性介质材料。
　　该器件也广泛用于各种类型的LC振荡器电路，如Colpitts、Hartley和Clapp振荡器中作为调谐电容，确保输出频率不受温度变化影响，提高系统的频率精度与长期稳定性。在时钟生成电路、PLL频率合成器以及石英晶体振荡器的负载电容配置中，CB2016T150MV常被用来提供精确且稳定的负载电容，保障时钟信号的准确性和抖动性能。
　　此外，在高性能模拟前端（AFE）、高速数据转换器（ADC/DAC）的参考电压滤波、有源滤波器和陷波器设计中，该电容可用于实现精准的相位控制和滤波特性的稳定。由于其无压电效应、低噪声特性，也可用于音频路径中的耦合与去耦，避免因电容自身产生机械振动导致的微音效应（microphonics）。在汽车电子、医疗设备、测试测量仪器和航空航天等领域，凡是需要长期可靠运行且不受环境干扰的场合，CB2016T150MV都是优选的无源元件之一。