封装尺寸：2012（2.0mm x 1.25mm）
　　电容值：68pF
　　容差：±20%（M级）
　　额定电压：50V（典型值，具体需参考数据手册）
　　温度系数/介质材料：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降（典型X7R特性）
　　老化率：约2.5%每十年（X7R材料典型值）
　　等效串联电阻（ESR）：低，具体数值依频率而定
　　等效串联电感（ESL）：低，适合高频应用
　　焊接方式：表面贴装（SMT），支持回流焊工艺

CB2012T680M作为一款多层陶瓷电容器，其核心优势在于采用X7R陶瓷介质材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的稳定性，能够在-55°C至+125°C的工作温度区间内保持电容值变化不超过±15%，非常适合需要在复杂环境温度下稳定运行的应用场景。该电容器的多层结构设计不仅提升了单位体积内的电容密度，还显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了其在高频电路中的去耦和滤波能力。由于其小尺寸封装（2012），CB2012T680M可在高密度印刷电路板（PCB）布局中节省空间，适应现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　该器件具备良好的直流偏压响应特性，虽然X7R材料在施加直流电压时会出现电容值下降的现象，但在大多数中低压应用中仍能保持足够的有效电容。其±20%的容差适用于对精度要求不极端严苛的场合，如电源去耦、噪声滤波和信号耦合等。此外，CB2012T680M经过优化设计，具备较强的抗机械应力和热冲击能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性，避免微裂纹导致的早期失效。表面贴装形式使其兼容自动化贴片设备，提高了生产效率和组装一致性。
　　从可靠性角度看，该电容器通常通过AEC-Q200等可靠性认证（视具体制造商而定），适用于汽车电子、工业控制等对长期稳定性有较高要求的领域。其低损耗因子（DF）和高绝缘电阻也确保了在长时间运行中的能量损耗最小化和漏电流控制良好。整体而言，CB2012T680M是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型MLCC，广泛用于各类模拟和数字电路中，尤其适合作为高速数字系统的电源旁路电容，有效抑制电压波动和高频噪声传播。

CB2012T680M多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，主要用于电源去耦、信号滤波、高频旁路和交流耦合等电路功能。在数字集成电路（如MCU、FPGA、DSP）的电源引脚附近，该电容器可有效滤除高频噪声，稳定供电电压，防止因瞬态电流变化引起的信号干扰或系统误动作。在射频（RF）和无线通信模块中，它可用于阻抗匹配网络、滤波器构建以及信号路径中的直流隔离，凭借其低ESR和低ESL特性，保障高频信号的完整性。此外，在传感器接口电路、运算放大器反馈网络及ADC/DAC前后级滤波电路中，CB2012T680M也能发挥稳定电容值的作用，提升系统测量精度和抗干扰能力。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该型号因其小型化封装和高可靠性被大量使用于主板电源管理单元和信号传输路径中。在工业控制设备中，例如PLC、HMI和电机驱动器，CB2012T680M可用于抑制电磁干扰（EMI）和稳定控制信号。同时，在汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块）中，若器件符合AEC-Q200标准，则可满足严苛的温度循环和振动环境要求。此外，该电容器还可用于开关电源（SMPS）的输入输出滤波、DC-DC转换器的旁路电容配置，以及各类模拟前端（AFE）电路中的耦合与去耦应用，展现出良好的通用性和适应性。

GRM21BR71H680KA01L
　　CL21A680KP5NNNC
　　C2012X7R1H680K