电容值：0.24pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0201（0.6mm x 0.3mm）
　　介质类型：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流电阻（DCR）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值高于10GHz
　　绝缘电阻：≥100GΩ
　　老化率：≤0.1% / decade
　　ESR：极低
　　电容温度系数：0±30ppm/°C

CB02YTYN241采用C0G（NP0）型陶瓷介质，具有极高的电容稳定性，其电容值几乎不随温度、电压或时间的变化而发生漂移。这种材料体系确保了器件在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内的电容变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、X5R等其他介电材料。因此，该电容器特别适用于对频率稳定性要求极高的射频（RF）电路、振荡器、滤波器和定时电路中。
　　该器件的电容值为0.24pF，容差为±0.5pF，属于超小容量电容器，常用于高频匹配网络和微调电路中。尽管其标称容量较小，但由于其极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），在GHz级高频应用中仍能保持良好的阻抗特性，并具备较高的自谐振频率（通常超过10GHz），从而有效发挥去耦和旁路作用。
　　CB02YTYN241采用0201小型化封装（0.6mm × 0.3mm），符合现代电子产品向轻薄化、高密度集成发展的趋势。该封装支持回流焊工艺，具有良好的机械强度和热循环耐受性。同时，由于使用的是非铁磁性材料，该电容器不会引入额外的电磁干扰，适用于高灵敏度模拟前端和毫米波通信模块。
　　此外，该器件具备出色的长期稳定性，老化率低于0.1%每十倍时间周期，且在额定电压下无明显电压系数效应。其绝缘电阻高达100GΩ以上，漏电流极小，适用于高阻抗电路和精密模拟信号路径中的耦合与隔直应用。整体而言，CB02YTYN241是一款面向高端电子系统的高性能陶瓷电容器，兼顾高频性能、尺寸紧凑性和环境适应能力。

CB02YTYN241因其优异的高频特性和温度稳定性，被广泛应用于无线通信系统中的射频前端模块，如功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线调谐电路中，用于实现阻抗匹配和信号滤波。在智能手机、平板电脑、物联网（IoT）设备和5G基站等高频电子设备中，该电容器可用于GHz频段的LC谐振网络，确保信号传输的稳定性和效率。
　　此外，该器件也常见于高速数字电路的电源去耦设计中，尤其是在处理器、FPGA和ADC/DAC芯片的供电引脚附近，用作高频噪声抑制元件。虽然其电容值较小，但在GHz范围内仍能有效降低电源轨道上的瞬态干扰，提升系统信噪比和抗干扰能力。
　　在测试与测量仪器领域，例如频谱分析仪、网络分析仪和高频示波器中，CB02YTYN241可用于精密模拟通道的耦合与隔直，避免因电容漂移导致的测量误差。其C0G特性保证了长时间运行下的参数一致性，提高了仪器的可靠性和重复性。
　　该电容器还适用于汽车电子中的高级驾驶辅助系统（ADAS）雷达模块，特别是24GHz和77GHz毫米波雷达的射频链路中，作为高频补偿和相位调节元件。其耐温范围宽、可靠性高，满足AEC-Q200等车规级认证要求，能够在恶劣环境下稳定工作。

GRM0225C80D241DA01D
　　CC0201-0241Z