时间：2025/8/7 16:48:41
阅读：12
CAP003DG是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于各种中高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（在25°C）
漏源击穿电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V）
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
CAP003DG具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和优异的热管理特性使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具备高耐用性和稳定性，能够在苛刻的工作环境下可靠运行。这些特性使CAP003DG成为电源转换器、马达控制和电池管理系统等应用的理想选择。
该MOSFET采用先进的封装技术，提供了良好的散热性能和机械强度，同时具备抗静电和过热保护功能。其栅极设计优化，减少了开关损耗，提高了整体性能。此外，CAP003DG还符合RoHS环保标准，适合用于现代绿色电子设备的设计。
CAP003DG广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。此外，它还适用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器以及高性能计算设备的电源模块。由于其优异的性能，该器件也常用于电池供电系统和高效率电源适配器中。
SiHF10N40E, FDP085N30
