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CAB450M12XM3 发布时间 时间:2025/9/11 7:18:13 查看 阅读:71

CAB450M12XM3 是一款由英飞凌(Infineon)推出的碳化硅(SiC)功率模块,属于其CoolSiC?系列。该模块专为高效率、高功率密度的电力电子应用而设计,适用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电系统和储能系统等领域。CAB450M12XM3 采用了先进的碳化硅MOSFET技术,具有低导通损耗和开关损耗,能够显著提升系统的整体能效。该模块的封装设计考虑了热管理和机械强度,确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。

参数

型号: CAB450M12XM3
  器件类型: 碳化硅(SiC)功率模块
  电压等级: 1200V
  额定电流: 450A
  技术: CoolSiC? MOSFET
  封装类型: 三相半桥模块
  工作温度范围: -40°C 至 +175°C
  绝缘等级: 高
  引脚数: 多引脚设计
  最大功耗: 依具体应用而定
  热阻: 依散热条件而定
  符合标准: RoHS

特性

CAB450M12XM3 的最大特点在于其采用的碳化硅(SiC)MOSFET技术,这使得该模块在高压和高功率应用中具有极低的导通和开关损耗。与传统的硅基IGBT模块相比,CAB450M12XM3 能够在更高的开关频率下运行,从而减少外部滤波元件的尺寸和重量,提升系统的功率密度。此外,该模块的热性能非常优异,能够在较高的环境温度下稳定工作,减少了对复杂冷却系统的需求。
  另一个显著特点是该模块的三相半桥拓扑结构,适用于多种功率转换应用,如逆变器、整流器和DC-DC转换器等。其多引脚设计确保了良好的电气连接和散热性能,同时提高了模块的机械强度和可靠性。
  此外,CAB450M12XM3 还具有优异的短路耐受能力和过载能力,确保在极端工况下仍能保持稳定运行。其高绝缘等级和符合RoHS标准的设计也使得该模块在环保和安全方面表现出色。

应用

CAB450M12XM3 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动(如伺服驱动器和变频器)、可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)、电动汽车充电基础设施(如直流快充桩)以及储能系统(如电池储能逆变器)。此外,该模块也可用于高频电源转换器、不间断电源(UPS)和电能质量调节设备等场景。
  由于其优异的热性能和高开关频率能力,CAB450M12XM3 特别适合用于对空间和重量要求较高的应用,例如车载充电系统和便携式工业设备。其模块化设计也便于集成到现有系统中,降低了设计复杂度并加快了产品上市时间。

替代型号

CAB450M12XM3 的替代型号包括英飞凌的 CAB450M12XM2 以及一些其他厂商的SiC模块,例如Wolfspeed的CMF300D120A和安森美半导体的NVXK450M120C01。这些替代型号在性能参数和封装设计上与 CAB450M12XM3 相似,可根据具体应用需求进行选择。

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CAB450M12XM3参数

  • 现有数量488现货
  • 价格1 : ¥6,746.92000盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 技术碳化硅(SiC)
  • 配置2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)450A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.7 毫欧 @ 450A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 132mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1330nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)38000pF @ 800V
  • 功率 - 最大值850W
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块