类型：NPN双极结型晶体管
　　封装形式：金属陶瓷密封封装（典型为TO-5或类似）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：15V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：3V
　　最大集电极电流（IC）：30mA
　　最大耗散功率（Pc）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：40 - 150（测试条件典型为VCE=5V, IC=1mA）
　　特征频率（fT）：≥800MHz
　　噪声系数（NF）：≤2.5dB（典型值，测试频率为200MHz，IC=1mA）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

CA723E晶体管的核心优势在于其在高频应用中的低噪声表现与稳定的增益特性。该器件采用先进的硅外延工艺制造，确保了基区宽度的精确控制，从而优化了载流子传输效率，提升了高频响应能力。其金属陶瓷封装不仅提供了优异的机械强度和热稳定性，还具备出色的气密性，有效防止湿气和污染物侵入，提高了器件在严苛环境下的长期可靠性。这种封装方式特别适合应用于航天、雷达前端、战术通信系统等对可靠性和寿命有极高要求的领域。
　　在电气性能方面，CA723E在VHF/UHF频段内表现出较低的噪声系数，通常在200MHz下可实现低于2.5dB的噪声表现，使其成为前置放大器、天线放大器和接收机第一级放大的理想选择。同时，其较高的特征频率（fT ≥ 800MHz）保证了在接近1GHz频率时仍能维持足够的增益，满足宽带放大需求。器件的直流电流增益（hFE）具有良好的一致性，且随温度变化较小，有助于简化偏置电路设计，提高整机稳定性。
　　此外，CA723E符合军用元器件的筛选标准，经过严格的老化、温度循环、密封性测试等质量控制流程，确保每批产品均达到高可靠性指标。这使得它不仅可用于军工装备，也可用于高端科研仪器、广播电视发射前端、精密测试设备等对元器件品质要求极高的应用场景。尽管随着现代GaAs FET和SiGe HBT技术的发展，部分性能已被超越，但CA723E因其成熟的供应链、良好的兼容性和无需特殊驱动电路的优势，仍在许多老旧型号设备维修和国产化替代项目中广泛使用。

CA723E主要用于高频低噪声放大电路，常见于军用通信系统、雷达接收前端、电子对抗设备、卫星通信地面站、广播电视发射设备中的预放大级。由于其优良的噪声性能和频率响应，该器件特别适合用作UHF频段以下的小信号放大器，例如在超短波电台、对讲机、遥控遥测系统中作为射频输入级使用。此外，在需要高可靠性和环境适应性的航空航天电子系统中，CA723E也常被用于本地振荡器缓冲级、混频器驱动级以及微弱信号检测电路中。在工业领域，该晶体管还可应用于精密传感器信号调理、高频测量仪器前置放大等场合。由于其具备军品级质量认证，因此在国家重点工程、国防装备维护和国产化替代项目中具有重要地位。

3CA723E