型号：CA3094E
　　类型：多晶体管阵列
　　内部晶体管数量：6个NPN晶体管
　　封装形式：14引脚DIP或SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大结温：+150°C
　　引脚间距：2.54mm（DIP）
　　电源电压最大值：未指定（依赖外部偏置）
　　每个晶体管最大集电极电流：100mA
　　晶体管增益带宽积（fT）：典型值300MHz
　　直流电流增益（hFE）：典型值100@IC=1mA
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：最小值30V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：30V

CA3094E内部集成了六个特性匹配的NPN型双极结型晶体管，这些晶体管在同一硅片上制造，确保了高度的一致性和温度跟踪能力。这种结构特别适用于构建高性能的差分对电路，因为在同一芯片上的晶体管具有几乎相同的电气参数，如电流增益、阈值电压和温度系数，从而显著降低了因器件间差异引起的失调误差。每个晶体管的增益带宽积典型值可达300MHz，使其能够在高频条件下保持良好的放大性能，适合用于宽带放大器和高速开关应用。
　　该器件的每个晶体管均可独立使用，允许设计者灵活配置电路拓扑结构，例如构建多级放大器、电流镜阵列或互补输出级。晶体管之间的隔离通过适当的衬底设计实现，虽然并非完全独立，但在大多数模拟应用中已足够满足需求。此外，由于所有晶体管共享同一个封装和热环境，它们在工作过程中能够自然地进行热耦合，进一步增强了参数匹配的稳定性，这对于精密模拟电路如运算放大器前端、有源滤波器和振荡器至关重要。
　　CA3094E采用双极型工艺制造，具备良好的噪声性能和线性度，适合小信号处理场景。其最大集电极电流为100mA，支持中等功率驱动任务。器件的击穿电压指标（VCEO≥30V）使其可在较宽的电源电压范围内安全运行，兼容多种供电系统。尽管该器件属于早期产品系列，但由于其高可靠性和成熟的设计基础，仍在许多传统工业设备和教育实验平台中被广泛采用。

CA3094E常用于需要多个匹配晶体管的模拟电路设计中，尤其是在构建差分输入级时表现出色，常见于运算放大器、仪表放大器和比较器的前端电路。由于其内部晶体管具有良好的匹配性和温度一致性，该器件也广泛应用于精密电流镜电路，用于提供稳定的偏置电流，提升整个系统的稳定性和精度。此外，在射频和中频放大器设计中，CA3094E可用于构建共射、共基或共集电极放大结构，利用其较高的增益带宽积实现良好的频率响应。
　　在电源管理电路中，该芯片可用于误差放大器或反馈控制环路中的增益级，提高调节精度。同时，它也可作为推挽输出级的一部分，用于驱动容性或阻性负载，例如在音频放大器或脉冲信号发生器中。在测试与测量仪器中，CA3094E因其稳定性和可预测性而被用于校准电路和传感器信号调理模块。此外，该器件还适用于教学实验平台，帮助学生理解晶体管阵列的工作原理、差分放大机制以及模拟集成电路的基本构建方法，是电子工程教育中的常用元件之一。

LM3094N
　　NJM3094M