型号：C9835AT
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.4 A（在TC = 25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：16 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.5 V，范围1.0 V ~ 2.0 V
　　导通电阻（Rds(on)）：25 mΩ（当Vgs = 10 V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：30 mΩ（当Vgs = 4.5 V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：35 mΩ（当Vgs = 2.5 V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值400 pF（在Vds = 15 V，f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值150 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值50 pF
　　总栅极电荷（Qg）：典型值9 nC（在Vds = 15 V，Vgs = 10 V）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值4 ns
　　上升时间（tr）：典型值15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值18 ns
　　下降时间（tf）：典型值8 ns
　　功耗（Pd）：1.5 W（在TA = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SC-70（SOT-323）

C9835AT采用Vishay成熟的TrenchFET?沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。该器件在Vgs = 10 V时Rds(on)低至25 mΩ，在Vgs = 4.5 V时仍可保持30 mΩ的低阻值，这使得它能够在低电压驱动条件下依然表现出色，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。其低阈值电压特性进一步增强了在低功耗系统中的适用性，尤其适合由3.3 V或5 V控制器控制的开关电路。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg典型值为9 nC），显著降低了开关过程中的驱动损耗，提高了系统在高频操作下的整体效率。同时，其输入电容和反向传输电容较小，有助于减少噪声耦合和米勒效应，从而提升开关稳定性。器件的快速开关能力体现在其纳秒级的开启和关断延迟时间上，确保了在DC-DC变换器等高频拓扑中能够实现快速响应和最小化死区时间损耗。
　　PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧（2.0 mm × 1.25 mm × 0.95 mm），还具备优良的热传导性能，支持高功率密度设计。该封装无铅且符合RoHS标准，适用于自动化贴片生产流程。此外，C9835AT经过严格的可靠性验证，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在工业级和汽车级应用中可靠运行。

C9835AT因其高效率、小尺寸和强驱动能力，被广泛应用于多种便携式和高密度电源系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关和电源路径管理，用于控制电池与不同功能模块之间的连接，实现节能和安全保护。在同步降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，利用其低Rds(on)和快速开关特性提高转换效率并减少发热。
　　在电池管理系统（BMS）中，C9835AT可用于充放电控制回路，提供低损耗的通路切换，延长电池续航时间。此外，它也适用于电机驱动电路，尤其是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够有效降低导通压降，提升扭矩输出效率。在热插拔电路和电源多路复用器中，该MOSFET凭借其软启动能力和过流保护兼容性，可防止浪涌电流损坏后级电路。
　　由于其封装小巧且性能稳定，C9835AT也常用于空间受限的物联网（IoT）设备、无线传感器节点和小型电源适配器中。在这些应用中，器件的高集成度和低静态功耗特性尤为重要。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路中的开关元件，实现高效的恒流控制。其广泛的工业温度适应能力也使其适用于部分汽车电子模块，如车身控制单元、车载信息娱乐系统的电源管理部分等。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDS6679