C5250 时间：2025/9/7 15:31:13 阅读：18

C5250是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高电流开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适合在高效率和高密度电源系统中使用。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：25V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：约22mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
　　功耗（Pd）：200W（最大）
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

C5250 MOSFET具有多个关键性能优势，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的25V漏源耐压使其适用于中低压电源转换应用，如同步整流、负载开关和电池管理系统。
　　此外，C5250采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和散热设计。其200W的高功耗能力也支持在较高电流负载下稳定运行。
　　栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至10V之间工作，兼容多种驱动器和控制器。此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。

应用

C5250常用于各类电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、电机驱动器和负载开关电路。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于便携式电子设备、工业控制设备和汽车电子系统中的功率控制环节。例如，在电源模块中，C5250可用于高效能的MOSFET同步整流，以提高转换效率；在电机驱动电路中，它可用于H桥结构中的高低边开关，实现高效的电机控制。