时间：2025/8/8 17:16:15
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C4941是一款N沟道功率MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计，提供优异的RDS(on)性能和快速开关特性，适用于各种高效率电源转换器、负载开关以及电池管理系统。C4941通常采用TO-220或TO-252等封装形式，具有良好的热稳定性和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：30A（连续）
RDS(on)：约5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
功耗（PD）：100W（最大）
阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
C4941 MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)）特性，使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高栅极电压容限（±20V）增强了在复杂电磁环境下的可靠性。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关电源设计。
结构上，C4941采用了先进的平面工艺技术，优化了电场分布，提高了器件的雪崩耐量。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。由于其优异的热阻特性，C4941在无散热片设计中也有良好的表现。
此外，C4941的封装设计考虑了良好的散热性能，便于安装和散热管理，适用于各种工业级应用环境。
C4941广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于高效率电源模块和大功率LED驱动电路。
C4941的替代型号包括IRFZ44N、AON6522、SiR432DP-T1-GE3、FDMS86181
